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生產(chǎn)芯片的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,應用比較廣泛的是硅。硅可由石英砂(主要成分是二氧化硅)制得,制備高純硅的主要工藝流程如圖1所示:
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資料:①SiHCl4能與H2O劇烈反應,在空氣中易自燃;②粗SiHCl3(沸點33.0℃)中含有少量SiC14(沸點57.6℃)和HCl(沸點-84.7℃)
(1)流程①焦炭體現(xiàn)了
還原性
還原性
(填“氧化性”或“還原性”)。
(2)流程③提純SiHCl3的操作是
蒸餾
蒸餾

(3)流程④的化學反應為置換反應,寫出其化學方程式:
SiHCl3+H2
高溫
Si+3HCl
SiHCl3+H2
高溫
Si+3HCl

流程④制備高純硅的裝置如圖2(熱源及夾持裝置略去):
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(4)若要從下列玻璃儀器中選擇部分來組裝A處的氣體發(fā)生裝置,需要的是
abg
abg
(填選項編號):
a.分液漏斗
b.燒瓶
c.酒精燈
d.大試管
e.漏斗
f.燒杯
g.導管
裝置B中的試劑是
濃硫酸
濃硫酸
(填試劑名稱);裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
使進入燒瓶的液態(tài)SiHCl3變?yōu)闅怏w
使進入燒瓶的液態(tài)SiHCl3變?yōu)闅怏w
。
(5)反應一段時間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是
有固體物質(zhì)生成
有固體物質(zhì)生成

(6)為保證制備高純硅實驗的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實驗裝置的氣密性,控制好反應溫度以及
防止生成的Si被氧化
防止生成的Si被氧化
,
防止H2與O2混合加熱發(fā)生爆炸
防止H2與O2混合加熱發(fā)生爆炸
,該流程中能夠循環(huán)利用的物質(zhì)是
HCl
HCl
。

【答案】還原性;蒸餾;SiHCl3+H2
高溫
Si+3HCl;abg;濃硫酸;使進入燒瓶的液態(tài)SiHCl3變?yōu)闅怏w;有固體物質(zhì)生成;防止生成的Si被氧化;防止H2與O2混合加熱發(fā)生爆炸;HCl
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0組卷:9引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.某化學小組利用如圖裝置進行某些氣體的制備和性質(zhì)實驗,圖中加持裝置有省略
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (1)為制取干燥氨氣,可將裝置C與裝置D連接,則裝置D中 的固體宜選用
     

    a.堿石灰       b.無水氯化鈣    c.五氧化二磷      d.生石灰
    (2)裝置A、E、E連接可制取純凈干燥的氯氣,則兩個E裝置內(nèi)的藥品依次是
     

    (3)裝置F可用于探究氯氣和氨氣反應,實驗室打開開關(guān)1、3,關(guān)閉2,先向燒瓶中通入
     
    ,然后關(guān)閉1、3,打開2,向燒瓶中緩慢通入一定量的另一種氣體.實驗一段時間后燒瓶內(nèi)出現(xiàn)濃厚的白煙并在容器內(nèi)壁凝結(jié),請設(shè)計一個實驗方案鑒定該固體中的陽離子
     

    (4)利用裝置A、E,可設(shè)計實驗比較氯離子和溴離子的還原性強弱,能證明結(jié)論的實驗現(xiàn)象是
     
    .若利用裝置A、E進行乙烯與溴水反應的實驗,必須對裝置A進行的改動是
     

    (5)將裝置B、C分別于F相連后,進行硫化氫和二氧化硫反應的實驗,燒杯中的試劑所起的作用是
     

    發(fā)布:2024/11/7 8:0:2組卷:17引用:1難度:0.1
  • 2.氯氣和氨氣是重要的工業(yè)原料,二者在常溫下混合即可發(fā)生反應。某興趣小組同學擬用如圖裝置設(shè)計實驗來探究純凈、干燥的氯氣與氨氣的反應?;卮鹣铝袉栴}:
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    (1)氣體的制備與凈化
    ①氯氣的發(fā)生裝置可以選擇上圖中的
     
    ,反應的化學方程式為
     
    。
    ②干燥氨氣選用圖中的
     
    。氯氣的凈化裝說的連接順序為b→(按氣流順序,用小寫字母表示)。
    (2)氨氣與氯氣的反應
    ①上圖中的裝置連接順序為A→
     
     
     
     
    →B(用大寫字母表示)。
    氨氣的入口是
     
    (填“e”或“f”),原因是
     
    。裝置D內(nèi)出現(xiàn)濃厚的煙并在容器內(nèi)壁凝結(jié),另一生成物是空氣的主要成分之一,試寫出該反應的化學方程式:
     
    ,寫出一種此反應的工業(yè)用途:
     
    。
    ②設(shè)計一個實驗方案鑒定該固體是氯化銨
     
    (要求寫出操作、現(xiàn)象及結(jié)論):
    若從裝置D的G處逸出的尾氣中含有少量Cl2,為防止其污染環(huán)境,可將尾氣通過
     
    盛有的 洗氣瓶。

    發(fā)布:2024/11/8 8:0:1組卷:5引用:1難度:0.5
  • 3.某化學興趣小組利用如圖甲裝置制取氨氣并探究氨氣的有關(guān)性質(zhì)。
    菁優(yōu)網(wǎng)
    (1)裝置A中燒瓶內(nèi)試劑可選用
     
    (填序號)。
    a.堿石灰 b.濃硫酸 c.五氧化二磷 d.NaOH固體
    (2)若探究氨氣的溶解性,標準狀況下,裝置D中收集滿氨氣后,關(guān)閉K1、K2,打開K3,引發(fā)噴泉的實驗操作是
     
    ;完成噴泉實驗后,裝置D中充滿液體,則裝置D中溶液的物質(zhì)的量濃度為
     
    。
    (3)K2的導管末端需要連接氨氣的吸收裝置,則不能在K2的導管末端連接圖乙中的
     
    裝置(填序號Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ)。
    (4)若探究氨氣的還原性,需關(guān)閉K1、K3,K2連接純凈、干燥氯氣的裝置。
    ①D中氨氣與氯氣反應產(chǎn)生白煙,同時生成一種化學性質(zhì)穩(wěn)定氣體單質(zhì),該反應可用來檢驗氯氣管道是否有泄漏,則該反應的化學方程式為
     
    。
    ②尾氣可用C裝置處理,若尾氣中含有少量Cl2,則C裝置中應盛放
     
    溶液(填化學式),反應的離子方程式為
     
    。

    發(fā)布:2024/11/8 8:0:1組卷:5引用:1難度:0.6
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