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過渡金屬在生產(chǎn)、生活、科技等方面有著廣泛的應(yīng)用。例如仿生簇化合物Mn4XO4(X=Ca2+/Y3+/Gd3+)有望為實(shí)現(xiàn)利用太陽能和水獲取清潔能源(氫能)開辟新途徑,MnOx?Na2WO4?SiO2、鈷(Co)的合金及其化合物材料等廣泛應(yīng)用于化工催化劑等領(lǐng)域。
請(qǐng)回答下列問題:
(1)基態(tài)釔(39Y)的價(jià)層電子排布式為
4d15s2
4d15s2

(2)基態(tài)Co原子核外有
27
27
種運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子,其3d能級(jí)上有
2
2
對(duì)成對(duì)電子。
(3)[Co(NO26]3-中三種元素的第一電離能由大到小的順序是
N>O>Co
N>O>Co
(填元素符號(hào))。已知:[Co(CN)6]4-是強(qiáng)還原劑,與水反應(yīng)能生成[Co(CN)6]3-。[Co(CN)6]4-中含有σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為
1:1
1:1
,
[Co(CN)6]3-中C的雜化方式為
sp
sp
。
(4)[Mn(NH32]2+中配體分子的立體構(gòu)型是
三角錐形
三角錐形
。[Mn(NH32]2+中鍵角∠HNH
大于
大于
(填“大于”、“小于”或“等于”)NH3中鍵角∠HNH。
(5)MnF2、MnCl2晶體的熔點(diǎn)分別為856°C、650°C,二者熔點(diǎn)存在明顯差異的主要原因是
MnF2、MnCl2都是離子晶體,F(xiàn)-半徑小于Cl-,MnF2中的離子鍵比MnCl2中的離子鍵強(qiáng)
MnF2、MnCl2都是離子晶體,F(xiàn)-半徑小于Cl-,MnF2中的離子鍵比MnCl2中的離子鍵強(qiáng)
。
(6)碳化鎢是一種由鎢(W)和碳組成的晶體,其晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,晶體的熔點(diǎn)為2870°C,硬度與金剛石相當(dāng)。碳化鎢的晶體類型是
共價(jià)晶體
共價(jià)晶體
;已知:碳化鎢晶體的密度為ρg?cm-3,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,六棱柱高為acm,則底邊長(zhǎng)為
784
3
3
N
A
×107
784
3
3
N
A
×107
(用含ρ、a、N的表達(dá)式表示)nm。
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【答案】4d15s2;27;2;N>O>Co;1:1;sp;三角錐形;大于;MnF2、MnCl2都是離子晶體,F(xiàn)-半徑小于Cl-,MnF2中的離子鍵比MnCl2中的離子鍵強(qiáng);共價(jià)晶體;
784
3
3
N
A
×107
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:19引用:2難度:0.6
相似題
  • 1.完成下列問題:
    (1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類型可能為
     
    。
    (2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個(gè)Ga原子周圍有
     
    個(gè)緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為
     
    cm(列出計(jì)算式)。
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    (2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是
     
    。
    (3)CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為
     
    。
    (4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是
     
    (填標(biāo)號(hào))。
    A.[Cu(NH32]Cl
    B.[Zn(NH34]SO4
    C.[Cu(NH34]SO4
    D.Na2[Zn(OH)4]

    發(fā)布:2024/11/7 1:0:2組卷:21引用:1難度:0.6
  • 2.硅烷廣泛應(yīng)用在現(xiàn)代高科技領(lǐng)域。制備硅烷的反應(yīng)為SiF4+NaAlH4═SiH4+NaAlF4。
    (1)①基態(tài)硅原子的價(jià)層電子軌道表示式為
     
    。
    ②SiF4中,硅的化合價(jià)為+4價(jià)。硅顯正化合價(jià)的原因是
     
    。
    ③下列說法正確的是
     
    (填序號(hào))。
    a.SiF4的熱穩(wěn)定性比CH4的差
    b.SiH4中4個(gè)Si-H的鍵長(zhǎng)相同,H-Si-H的鍵角為90°
    c.SiH4中硅原子以4個(gè)sp3雜化軌道分別與4個(gè)氫原子的1s軌道重疊,形成4個(gè)Si-Hσ鍵
    ④SiF4的沸點(diǎn)(-86℃)高于SiH4的沸點(diǎn)(-112℃),原因是
     
    。
    (2)NaAlH4的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞的體積為a2b×10-21cm3
    菁優(yōu)網(wǎng)
    A
    l
    H
    -
    4
    的VSEPR模型名稱為
     
    。
    ②用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。NaAlH4晶體密度為
     
    g?cm-3(用含a、b、NA的代數(shù)式表示)。
    ③NaAlH4是一種具有應(yīng)用潛能的儲(chǔ)氫材料,其釋氫過程可用化學(xué)方程式表示為:3NaAlH4═Na3AlH6+2Al+3H2↑。摻雜22Ti替換晶體中部分Al,更利于NaAlH4中H的解離,使體系更容易釋放氫。從結(jié)構(gòu)的角度推測(cè)其可能原因:
     
    。

    發(fā)布:2024/11/6 14:0:2組卷:52引用:1難度:0.7
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個(gè)未成對(duì)電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個(gè)電子,內(nèi)層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個(gè)NH3被2個(gè)Cl-取代可得兩種不同的結(jié)構(gòu)。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是(  )

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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