半導體砷化硼具有超高的導熱系數(shù)，有助于電子器件降溫散熱?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)硼原子的價電子排布式為

2s²2p¹

2s²2p¹

，根據(jù)“對角線規(guī)則”，硼的性質(zhì)與

硅

硅

（填名稱）相似。
（2）實驗測得，砷的第一電離能大于硒的第一電離能，原因是

砷的4p軌道上的電子處于半充滿狀態(tài)，較為穩(wěn)定，氣態(tài)原子失去一個電子需要的能量比較大

砷的4p軌道上的電子處于半充滿狀態(tài)，較為穩(wěn)定，氣態(tài)原子失去一個電子需要的能量比較大

。

（3）三氧化二砷的分子結構如圖所示，其中砷原子的雜化方式

sp³

sp³

，1molAs₄O₆中含有的σ鍵數(shù)目為

12N_A或者12×6.02×10²³

12N_A或者12×6.02×10²³

。
（4）NH₃BH₃分子中，與N原子相連的H呈正電性（H^δ+），與B原子相連的H呈負電性（H^δ-），則H、B、N電負性由大到小的順序是

N＞H＞B

N＞H＞B

。
（5）氫化物的沸點：SbH₃＞NH₃＞AsH₃，其理由是

SbH₃的相對分子質(zhì)量比其他幾個大得多，占主導作用，NH₃含有氫鍵，沸點反常的升高，AsH₃不含氫鍵，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高

SbH₃的相對分子質(zhì)量比其他幾個大得多，占主導作用，NH₃含有氫鍵，沸點反常的升高，AsH₃不含氫鍵，相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越強，沸點越高

。
（6）砷化硼的晶胞結構如圖（a）所示，圖（b）中矩形AA'C'C是沿如圖（a）放置的晶胞對角面取得的截圖。

①若該晶體的密度為ag?cm^-3，設B和As的原子半徑分別為r_Bpm和r_Aspm,則原子的空間占有率為

（

4

3

π

r

B

3

+

4

3

π

r

A

s

3

）

×

1

0

-

30

c

m

3

4

×

86

N

A

×

a

c

m

3

（

4

3

π

r

B

3

+

4

3

π

r

A

s

3

）

×

1

0

-

30

c

m

3

4

×

86

N

A

×

a

c

m

3

×100%（列出計算表達式，阿伏加德羅常數(shù)的值為N_A）。
②晶胞中各原子在矩形AA'C'C中的位置為

乙

乙

（填“甲”、“乙”、“丙”、丁”）。