元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途，請(qǐng)根據(jù)周期表中第三周期元素相關(guān)知識(shí)回答下列問題：
（1）按原子序數(shù)遞增的順序（稀有氣體除外），下列說法正確的是bb
a.原子半徑和離子半徑均減??； b.金屬性減弱，非金屬性增強(qiáng)；
c.氧化物對(duì)應(yīng)的水化物堿性減弱，酸性增強(qiáng)； d.單質(zhì)的熔點(diǎn)降低．
（2）原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為氬氬，氧化性最弱的簡單陽離子是Na+Na+
（3）已知：
| 化合物 | MgO | Al2O3 | MgCl2 | AlCl3 |
| 類型 | 離子化合物 | 離子化合物 | 離子化合物 | 共價(jià)化合物 |
| 熔點(diǎn)/℃ | 2800 | 2050 | 714 | 191 |
MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)消耗更多能量，增加生產(chǎn)成本
MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)消耗更多能量，增加生產(chǎn)成本
制鋁時(shí)，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是
氯化鋁是共價(jià)化合物，熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電
氯化鋁是共價(jià)化合物，熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電
（4）晶體硅（熔點(diǎn)1410℃）是良好的半導(dǎo)體材料，由粗硅制純硅過程如下：
Si（粗）
C
l
2
460
℃
蒸餾
H
2
1100
℃
寫出SiCl4的電子式：
2H2（g）+SiCl4（g） Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ?mol-1
1100
℃
2H2（g）+SiCl4（g） Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ?mol-1
1100
℃
（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是
b
b
a.NH3 b.HI c.SO2 d.CO2
（6）KClO3可用于實(shí)驗(yàn)室制O2，若不加催化劑，400℃時(shí)分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個(gè)數(shù)比為1：1，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式：
4KClO3 KCl+3KClO4
400
℃
4KClO3 KCl+3KClO4
．400
℃
【考點(diǎn)】硅的性質(zhì)及用途；同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律與原子結(jié)構(gòu)的關(guān)系；熱化學(xué)方程式；位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用；同一周期內(nèi)元素性質(zhì)的遞變規(guī)律的探究實(shí)驗(yàn)．
【答案】b；氬；Na+；MgO的熔點(diǎn)高，熔融時(shí)消耗更多能量，增加生產(chǎn)成本；氯化鋁是共價(jià)化合物，熔融態(tài)氯化鋁難導(dǎo)電；；2H2（g）+SiCl4（g） Si（s）+4HCl（g）△H=+0.025akJ?mol-1；b；4KClO3 KCl+3KClO4
；2H2（g）+SiCl4（g）1100
℃
400
℃
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：1832引用：29難度：0.5
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1．硅及其化合物的開發(fā)由來已久，在現(xiàn)代生活中有廣泛應(yīng)用．回答下列問題．
（1）高純硅是現(xiàn)代信息、半導(dǎo)體和光伏發(fā)電等產(chǎn)業(yè)都需要的基礎(chǔ)材料．工業(yè)上提純硅有多種路線，其中一種工藝流程示意圖及主要反應(yīng)如圖．
①還原爐中發(fā)生主要反應(yīng)的化學(xué)方程式為發(fā)生的主要反應(yīng) 電弧爐 SiO2+2C Si+2CO↑1600-1800℃流化床反應(yīng)器 Si+3HCl SiHCl3+H2250-300還原爐 ．該工藝中可循環(huán)使用的物質(zhì)為（填化學(xué)式）．用石英砂和焦炭在電弧爐中高溫加熱也可以生產(chǎn)碳化硅，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
②在流化床反應(yīng)的產(chǎn)物中，SiHCl3大約占85%，還有SiCl4、SiH2Cl2、SiH3Cl等，有關(guān)物質(zhì)的沸點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表，提純SiHCl3的主要工藝操作依次是沉降、冷凝和．
③SiHCl3極易水解，其完全水解的化學(xué)方程式為物質(zhì) Si SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH3Cl HCl SiH4 沸點(diǎn)/℃ 2355 57.6 31.8 8.2 -30.4 -84.9 -111.9 ．
（2）氮化硅（Si3N4）是一種高溫結(jié)構(gòu)材料，粉末狀態(tài)的Si3N4可以由SiCl4的蒸氣和NH3反應(yīng)制?。勰頢i3N4遇空氣和水都不穩(wěn)定．但將粉末狀的Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理，可以制得結(jié)構(gòu)十分緊密、對(duì)空氣和水都相當(dāng)穩(wěn)定的固體材料，同時(shí)還得到遇水不穩(wěn)定的Mg3N2．
①由SiCl4和NH3反應(yīng)制取Si3N4的化學(xué)方程式為．
②四氯化硅和氮?dú)庠跉錃鈿夥毡Ｗo(hù)下，加強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng)，使生成的Si3N4沉積在石墨表面可得較高純度的氮化硅，該反應(yīng)的化學(xué)方程式為．
③Si3N4和適量氧化鎂在230×1.01×105Pa和185℃的密閉容器中進(jìn)行熱處理的過程中，除生成Mg3N2外，還可能生成物質(zhì)（填化學(xué)式）．熱處理后除去MgO和Mg3N2的方法是．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：29引用：1難度：0.5 -
2．含硅元素的化合物廣泛存在于自然界中，與其他礦物共同構(gòu)成巖石．晶體硅（熔點(diǎn) 1410℃）用途廣泛，制取與提純方法有多種．
（1）煉鋼開始和結(jié)束階段都可能發(fā)生反應(yīng)：Si+2FeO2Fe+SiO2，其目的是高溫．
A．得到副產(chǎn)品硅酸鹽水泥
B．制取SiO2，提升鋼的硬度
C．除去生鐵中過多的Si雜質(zhì)
D．除過量FeO，防止鋼變脆
（2）一種由粗硅制純硅過程如下：Si（粗）SiCl4Cl2460℃SiCl4（純）蒸餾Si（純），在上述由SiCl4制純硅的反應(yīng)中，測得每生成 1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：H21100℃．
對(duì)于鈉的鹵化物（NaX）和硅的鹵化物（SiX4）下列敘述正確的是
A．NaX易水解
B．SiX4是共價(jià)化合物
C．NaX的熔點(diǎn)一般高于SiX4 D．SiF4晶體是由共價(jià)鍵形成的空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)
（3）粗硅經(jīng)系列反應(yīng)可生成硅烷（SiH4），硅烷分解也可以生成高純硅．硅烷的熱穩(wěn)定性弱于甲烷，所以Si元素的非金屬性弱于C元素，用原子結(jié)構(gòu)解釋其原因：．
（4）此外，還可以將粗硅轉(zhuǎn)化成三氯氫硅（SiHCl3），通過反應(yīng)：SiHCl3（g）+H2（g）?Si（s）+3HCl（g）制得高純硅．不同溫度下，SiHCl3的平衡轉(zhuǎn)化率隨反應(yīng)物的投料比（反應(yīng)初始時(shí)，各反應(yīng)物的物質(zhì)的量之比）的變化關(guān)系如下圖所示．下列說法正確的是（填字母序號(hào)）．
a.該反應(yīng)的平衡常數(shù)隨溫度升高而增大
b.橫坐標(biāo)表示的投料比應(yīng)該是n（SiHCl3）n（H2）
c.實(shí)際生產(chǎn)中為提高SiHCl3的利用率，可適當(dāng)降低壓強(qiáng)
（5）硅元素最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是H2SiO3．室溫下，0.1mol/L的硅酸鈉溶液和0.1mol/L的碳酸鈉溶液，堿性更強(qiáng)的是，其原因是．
已知：H2SiO3：Ki1=2.0×10-10 Ki2=1.0×10-12 H2CO3：Ki1=4.3×10-7 Ki2=5.6×10-11．發(fā)布：2024/12/26 8:0:1組卷：89引用：1難度：0.5 -
3．a是一種難溶于水的氧化物，能熔于熔融態(tài)的燒堿，生成易溶于水的化合物b,將少量b溶液滴入鹽酸中，最終能生成一種白色的膠狀沉淀，則a為（ ?。?/h2>
發(fā)布：2024/12/21 8:0:2組卷：8引用：1難度：0.9
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