半導體有著廣泛的應(yīng)用，人們通過離子注入的方式優(yōu)化半導體以滿足不同的需求．離子注入系統(tǒng)的原理簡化如圖所示．質(zhì)量為m、電荷量為q的正離子經(jīng)電場加速后從EE₁中點P垂直O(jiān)E射入四分之一環(huán)形勻強磁場，環(huán)形磁場圓心為O，內(nèi)環(huán)半徑OE₁=OG₁=R，外環(huán)半徑OE=OG=3R，磁場方向垂直紙面向里．當磁感應(yīng)強度為B₀時，離子恰好垂直邊界從GG₁中點Q射出。不考慮離子重力以及離子間的相互作用。求：
（1）加速電場M、N兩板間的電壓；
（2）為使離子能夠到達GG₁面，環(huán)形區(qū)域內(nèi)磁場的取值范圍。