石墨插層化合物在電池材料、超導性等方面具有廣泛的應用前景?；卮鹣铝袉栴}：
Ⅰ.某種鋰離子電池以石墨（平面結構如圖1所示）做負極材料，LiNiO2做正極材料。
（1）石墨中碳的雜化類型是sp2雜化sp2雜化。在層中碳原子的配位數(shù)為33。
（2）LiNiO2中電負性最大的元素是OO。
（3）基態(tài)Ni3+核外電子排布式為[Ar]3d7[Ar]3d7。其未成對電子數(shù)為33。
Ⅱ.下表列舉了部分碳族晶體的熔點、硬度數(shù)據(jù)：
| 晶體 | 熔點/℃ | 硬度（數(shù)值越大，晶體的硬度越大） |
| 金剛石（C） | 大于3500 | 10 |
| 碳化硅（SiC） | 2830 | 9 |
| 晶體硅（Si） | 1412 | 7 |
原子半徑C＜Si,所以鍵長：C-C鍵＜C-Si鍵＜Si-Si鍵，鍵能C-C鍵＞C-Si鍵＞Si-Si鍵，因此物質(zhì)的硬度：金剛石＞碳化硅＞晶體硅
原子半徑C＜Si,所以鍵長：C-C鍵＜C-Si鍵＜Si-Si鍵，鍵能C-C鍵＞C-Si鍵＞Si-Si鍵，因此物質(zhì)的硬度：金剛石＞碳化硅＞晶體硅
。Ⅲ.鉀（K）的石墨插層化合物具有超導性，圖甲為其晶胞圖。其中K層平行于石墨層，該晶胞垂直于石墨層方向的原子投影如圖乙所示。
（5）該插層化合物的化學式是
KC8
KC8
，判斷K層與石墨層之間的化學鍵類型為離子鍵
離子鍵
（選填“離子鍵”“共價鍵”）；若晶胞參數(shù)分別為anm、anm、bnm,則該石墨插層化合物的晶胞密度為1
.
08
×
10
24
a
2
b
N
A
1
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08
×
10
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a
2
b
N
A
【答案】sp2雜化；3；O；[Ar]3d7；3；原子半徑C＜Si，所以鍵長：C-C鍵＜C-Si鍵＜Si-Si鍵，鍵能C-C鍵＞C-Si鍵＞Si-Si鍵，因此物質(zhì)的硬度：金剛石＞碳化硅＞晶體硅；KC8；離子鍵；
1
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08
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A
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：16引用：1難度：0.5
相似題
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1．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構型為．
（2）石墨的結構如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結構如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關晶體的結構如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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