光刻機是半導(dǎo)體行業(yè)中重中之重的利器，我國上海微電子裝備公司（SMEE）在這一領(lǐng)域的技術(shù)近年取得了突破性進展。電子束光刻技術(shù)原理簡化如圖所示，電子槍發(fā)射的電子經(jīng)過成型孔后形成電子束，通過束偏移器后對光刻膠進行曝光。某型號光刻機的束偏移器長L=0.04m,間距也為L，兩極間有掃描電壓，其軸線垂直晶圓上某芯片表面并過中心O點，芯片到束偏移器下端的距離為L2。若進入束偏移器時電子束形成的電流大小為I=2×10-8A，單個電子的初動能為Ek0=1.6×10-14J，不計電子重力及電子間的相互作用力，忽略其他因素的影響，電子到達芯片即被吸收。
（1）若掃描電壓為零，電子束在束偏移器中做何種運動？電子束到達芯片時的落點位置？
（2）若掃描電壓為零，且It=Ne（N為電子個數(shù)），求O點每秒接收的能量E？（e=1.6×10-19C）
（3）若某時刻掃描電壓為15kV，則電子束到達芯片時的位置離O點的距離為多少？
L
2
【答案】見試題解答內(nèi)容
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：36引用：2難度：0.6
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