A、B、C、D、E代表前四周期原子序數(shù)依次增大的五種元素。A、D同主族且有兩種常見化合物DA₂和DA₃；工業(yè)上電解熔融C₂A₂制取單質(zhì)C；B、E除最外層均只有2個(gè)電子外，其余各層全充滿，E位于元素周期表的ds區(qū)?；卮鹣铝袉栴}：
（1）B、C中第一電離能較大的是

Mg

Mg

（用元素符號(hào)填空），基態(tài)D原子價(jià)電子的軌道表達(dá)式為

。
（2）DA₂分子的VSEPR模型是

平面三角形

平面三角形

。
（3）實(shí)驗(yàn)測得C與氯元素形成化合物的實(shí)際組成為C₂Cl₄，其球棍模型如圖1所示。已知C₂Cl₄在加熱時(shí)易升華，與過量的NaOH溶液反應(yīng)可生成Na[C（OH）₄]。
①C₂Cl₄屬于

分子

分子

晶體（填晶體類型），其中C原子的雜化軌道類型為

sp³

sp³

雜化。
②[C（OH）₄]^-中存在的化學(xué)鍵有

極性共價(jià)鍵、配位鍵

極性共價(jià)鍵、配位鍵

。
（4）B、C的氟化物晶格能分別是2957kJ?mol^-1、5492kJ?mol^-1，二者相差很大的原因是

Al³⁺比Mg²⁺電荷多，半徑小

Al³⁺比Mg²⁺電荷多，半徑小

。
（5）D與E形成化合物晶體的晶胞如圖2所示：

①在該晶胞中，E的配位數(shù)為

4

4

。
②原子坐標(biāo)參數(shù)可表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置。上圖晶胞中，原子的坐標(biāo)參數(shù)為a為（0，0，0）；b（

1

2

，0，

1

2

）；c為（

1

2

，

1

2

，0）。則d原子的坐標(biāo)參數(shù)為

（1，

1

2

，

1

2

）

（1，

1

2

，

1

2

）

。
③已知該晶胞的密度為ρg/cm³，則其中兩個(gè)D原子之間的距離為

2

2

×

3

4

×

97

ρ

N

A

×10¹⁰

2

2

×

3

4

×

97

ρ

N

A

×10¹⁰

pm（列出計(jì)算式即可）。