分銅液凈化渣主要含銅、碲（Te）、銻（Sb）、砷（As）等元素的化合物，一種回收工藝流程如圖所示。

已知：①“堿浸”時，銅、銻轉(zhuǎn)化為難溶氫氧化物或氧化物，堿浸液含有Na₂TeO₃、Na₃AsO₄。
②“酸浸”時，銻元素反應(yīng)生成難溶的Sb₂O（SO₄）₄浸渣。
③查閱資料得知：離子晶體的熔點一般較高，在600～2000℃，共價晶體具有較高的熔點，一般在1000℃以上。
回答下列問題：
（1）基態(tài)As的價層電子軌道表示式為
。
（2）“堿浸”時，TeO₂與NaOH反應(yīng)的離子方程式為
TeO₂+2OH^-=
T
e
O
2
-
3
+H₂O
TeO₂+2OH^-=
T
e
O
2
-
3
+H₂O
。
（3）向堿浸液中加鹽酸調(diào)節(jié)pH=4，有TeO₂析出，分離TeO₂，濾液中As元素最主要的存在形式為
B
B
（常溫下，H₃AsO₄的各級電離常數(shù)：K_a1=6.3×10^-3、K_a2=1.0×10^-7、K_a3=3.2×10^-12，填字母）。
A.H₃AsO₄
B.H₂
A
s
O
-
4

C.
HA
s
O
2
-
4

D.
A
s
O
3
-
4

（4）“氯鹽酸浸”時，通入SO₂的目的是
將Sb₂O（SO₄）₄還原為SbCl₃
將Sb₂O（SO₄）₄還原為SbCl₃
。
（5）“水解”時，生成SbOCl的化學(xué)方程式為
SbCl₃+H₂O=SbOCl+2HCl
SbCl₃+H₂O=SbOCl+2HCl
。
（6）TeO₂可用作電子元件材料，熔點為733℃，其熔點遠高于SO₂的原因為
TeO₂為離子晶體，SO₂為分子晶體
TeO₂為離子晶體，SO₂為分子晶體
。TeO₂晶胞是長方體結(jié)構(gòu)（如圖所示），已知N_A為阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為
3
.
2
×
1
0
23
N
A
a
2
b
3
.
2
×
1
0
23
N
A
a
2
b
g?cm^-3（列出計算表達式）。
?

【答案】

；TeO₂+2OH^-=

+H₂O；B；將Sb₂O（SO₄）₄還原為SbCl₃；SbCl₃+H₂O=SbOCl+2HCl；TeO₂為離子晶體，SO₂為分子晶體；

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/7/17 8:0:9組卷：31引用：1難度：0.6

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2．工業(yè)上用酸性K₂Cr₂O₇作鍍件上銅鍍層的除銅劑，氧化鍍件上的銅層?，F(xiàn)對除銅后的廢液（含有Cr³⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Zn²⁺、SO₄^2-）進行回收循環(huán)利用，設(shè)計了如圖工藝流程。

已知：
①2CrO₄^2-+2H⁺?Cr₂O₇^2-+H₂O。
②BaCr₂O₇可溶于水，Ba CrO₄難溶于水。
③Zn²⁺、Cr³⁺與OH^-的反應(yīng)原理與Al³⁺相似，氫氧化物的沉淀pH的相關(guān)數(shù)據(jù)如表：

狀態(tài)
pH
離子沉淀完全時沉淀開始溶解沉淀完全溶解

Zn²⁺ 8.0 10.5 12.5

Cr³⁺ 6.8 12 14

Al³⁺ 5.2 7.8 10.8

（1）K₂Cr₂O₇中鉻的化合價為

價。
（2）“沉淀除雜”后測得c（OH^-）=2mol?L^-1，溶液中的陰離子除了OH^-和SO₄^2-還有

（填離子符號）。
（3）“濾渣Ⅰ”的主要成分是

（填化學(xué)式）。
（4）“氧化”時的還原產(chǎn)物為MnO₂，寫出反應(yīng)的離子方程式：

。
（5）“調(diào)pH”時需將pH調(diào)至8.0～10.0之間，其目的是

。
（6）SO₄^2-濃度太大不利于除銅退鍍液除銅，“除SO₄^2-”時，需先將溶液保持至較強的酸性再加入BaCO₃，本實驗所需的BaCO₃不宜過量，其原因為

。
（7）請寫出除銅退鍍液除銅的反應(yīng)的離子方程式：

。

發(fā)布：2024/10/31 8:0:1組卷：9引用：1難度：0.5

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