光刻膠作為集成電路制作過(guò)程中的關(guān)鍵材料，它的技術(shù)水平直接決定了集成電路制作工藝的成敗。感光劑Ⅰ與化合物Ⅱ在堿性條件下反應(yīng)，生成化合物Ⅲ是某光刻膠工藝的一個(gè)環(huán)節(jié)。
D為
回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)氮原子的價(jià)電子軌道表達(dá)式為 
。
（2）物質(zhì)Ⅱ中除H元素外，其它元素均位于元素周期表的 pp區(qū)。
（3）NH3、CH4、H2S中鍵長(zhǎng)最長(zhǎng)的是 H2SH2S，其分子空間結(jié)構(gòu)為 VV形。
（4）下列說(shuō)法正確的是 ACAC（填選項(xiàng)字母）。
A．在Ⅰ中C原子全部采取sp2雜化
B．在Ⅱ中Cl元素的電負(fù)性最大
C．在Ⅱ的=N2基團(tuán)中，存在配位鍵
D．在Ⅲ中硫氧鍵的鍵能均相等
E．在第二周期元素中，第一電離能（I1）比氮大的元素有3種
（5）光刻膠原理是利用反應(yīng)前后，不同物質(zhì)在刻蝕液中溶解性的差異，形成不同的圖形。化合物Ⅰ與化合物Ⅲ相比，水溶性較好的是 ⅠⅠ，原因是 化合物I含有多個(gè)羥基，可以與水分子間形成氫鍵化合物I含有多個(gè)羥基，可以與水分子間形成氫鍵。
（6）C603-能與K+形成超分子加合物，如圖所示，該晶胞中K+的數(shù)目為 1212，已知晶胞參數(shù)為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則該晶胞的密度為 39×12+60×12×3NA×a339×12+60×12×3NA×a3g/cm3 （列出計(jì)算式即可）。
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【答案】p；H2S；V；AC；Ⅰ；化合物I含有多個(gè)羥基，可以與水分子間形成氫鍵；12；
39
×
12
+
60
×
12
×
3
N
A
×
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：14引用：2難度：0.6
相似題
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1．生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為個(gè)．（寫(xiě)具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫(xiě)元素名稱），二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的一種常見(jiàn)微粒，推測(cè)這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長(zhǎng)a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：176引用：4難度：0.7
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