中國(guó)芯片蝕刻技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先，NF₃進(jìn)行硅芯片蝕刻時(shí)的產(chǎn)物均為氣體，在蝕刻物表面不留任何殘留物，該反應(yīng)的微觀示意圖如圖所示，下列說(shuō)法不正確的是（　?。?br />?

A．該反應(yīng)前后原子的數(shù)目不變

B．丙中硅、氟元素的質(zhì)量比為7：19

C．丁在常溫常壓下是一種非金屬氣態(tài)單質(zhì)

D．該反應(yīng)后生成的丙和丁的微粒數(shù)之比為1：1

【答案】D

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/8/15 0:0:1組卷：22引用：1難度：0.5

相似題

1．有關(guān)水電解過(guò)程微觀示意圖，下列說(shuō)法不正確的是（　　）

A．氧分子由氧原子構(gòu)成，氫分子由氫原子構(gòu)成

B．這個(gè)微觀示意圖說(shuō)明了水分子是由氧原子和氫原子構(gòu)成的

C．這個(gè)微觀示意圖說(shuō)明了原子是化學(xué)變化中的最小粒子

D．該實(shí)驗(yàn)證明了水是由氫氣和氧氣組成的

發(fā)布：2024/12/12 18:0:2組卷：23引用：3難度：0.5

A．該反應(yīng)為類(lèi)型為化合反應(yīng)

B．產(chǎn)物SiO₂中Si的化合價(jià)是-4價(jià)

C．反應(yīng)前后元素、原子和分子種類(lèi)都不變

D．該反應(yīng)的化學(xué)方程式是SiCl₄+O₂

高溫

SiO₂+2Cl₂

發(fā)布：2024/12/22 8:0:1組卷：2引用：1難度：0.5

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