目前新合成的砷化鎘（Cd₃As₂）三維材料具有超強(qiáng)導(dǎo)電性，這種材料的電氣性能與石墨烯相當(dāng)，可代替石墨烯使用。
（1）Cd與Zn同族且相鄰，若Cd基態(tài)原子將次外層1個(gè)d電子激發(fā)進(jìn)入最外層的np能級，則該激發(fā)態(tài)原子的外圍電子排布式為

4d⁹5s²5p¹

4d⁹5s²5p¹

。Cd原子中第一電離能相對較大的是

基態(tài)

基態(tài)

原子（填“基態(tài)”或“激發(fā)態(tài)”）。
（2）與砷（As）同主族的N、P兩種元素的氫化物水溶液的堿性：NH₃

＞

＞

PH₃（填“＞”或“＜”），原因是

原子半徑N＜P，電負(fù)性N＞P，NH₃更易結(jié)合水中的H⁺而電離出OH^-

原子半徑N＜P，電負(fù)性N＞P，NH₃更易結(jié)合水中的H⁺而電離出OH^-

。
（3）As與Ge、Se同周期且相鄰，它們的第一電離能由大到小的順序?yàn)?

As＞Se＞Ge

As＞Se＞Ge

（用元素符號表示）。
（4）含砷有機(jī)物“對氨基苯砷酸”的結(jié)構(gòu)簡式如圖1，As原子軌道雜化類型為

sp³

sp³

，1mol對氨基苯砷酸含σ數(shù)目為

19N_A（或19×6.02×10²³）

19N_A（或19×6.02×10²³）

。

（5）碳的一種同素異形體的晶體可采取非最密堆積，然后在空隙中插入金屬離子獲得超導(dǎo)體。如圖2為一種超導(dǎo)體的面心立方晶胞，C₆₀分子占據(jù)頂點(diǎn)和面心處，K⁺占據(jù)的是C₆₀分子圍成的

正四面體

正四面體

空隙和

正八面體

正八面體

空隙（填幾何空間構(gòu)型）；若C₆₀分子的坐標(biāo)參數(shù)分別為A（0，0，0），B（

1

2

，0，

1

2

），C（1，1，1）等，則距離A位置最近的陽離子的原子坐標(biāo)參數(shù)為

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

（

1

4

，

1

4

，

1

4

）

。
（6）一定溫度下，NiO晶體可以自發(fā)地分散并形成“單分子層”，可以認(rèn)為O^2-作密置單層排列，Ni²⁺填充其中（如圖丙），已知O^2-的半徑為anm,每平方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量為

75

2

3

a

2

×

10

-

18

N

A

75

2

3

a

2

×

10

-

18

N

A

g（用a、N_A表示）。