在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序．如圖所示是一部分離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿水平方向進(jìn)入速度選擇器，選擇出一定速度的離子，然后通過磁分析器Ⅰ，選擇出特定比荷的離子，經(jīng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ后注入水平放置的硅片上．速度選擇器、磁分析器中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小為E，方向豎直向上．磁分析器截面是矩形，矩形長為2L，寬為

（

4

-

2

3

）

L

．其寬和長中心位置C和D處各有一個小孔；半徑為L的圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)Ⅱ內(nèi)存在垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào)的勻強(qiáng)磁場，D、M、N在一條豎直線上，DM為圓形偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)的直徑，最低點(diǎn)M到硅片的距離MN=

L

2

，不計離子重力。

（1）求離子通過速度選擇器后的速度大小；
（2）求磁分析器選擇出來的離子的比荷；
（3）若偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小的取值范圍

2

3

3

B

≤

B

偏

≤

3

B，求硅片上離子注入的寬度．