在芯片制作過程中，涉及硅粉在磁場中的偏轉和吸收，情景可以簡化為如下：如圖（1）所示：在

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圓形區(qū)域OAB中有垂直于該平面的勻強磁場，磁感應強度為B，硅粉可視為質量為m,帶電量為+q的帶電粒子，硅粉從靜止開始經(jīng)U的加速電壓加速以后從AB邊界的中點C垂直O(jiān)A邊界進入磁場，經(jīng)過磁場作用以后恰好從OB邊界的中點D垂直O(jiān)B邊界離開磁場?忽略硅粉的重力和硅粉之間的相互作用力。

（1）求圓形區(qū)域OAB磁場的半徑R。
（2）如圖（2）所示：如果同時有N（N很大）個硅粉在C點上下0.4R的范圍內(nèi)均垂直AO方向入射，并且如圖建立xOy坐標系，在OB邊界下方0.2R處有一個平行r軸的無限長接受屏EF。硅粉碰到接受屏后完全吸收不反彈。
①求所有硅粉通過x軸時，有硅粉通過區(qū)間的x值范圍；
②如果這N個硅粉經(jīng)過的場偏轉后通過x軸時空間上沿x軸均勻分布，求足夠長時間后接受屏EF受到的所有硅粉的總沖量。