CdSnAs2是一種高遷移率的新型熱電材料，回答下列問(wèn)題：
（1）Sn為ⅣA族元素，單質(zhì)Sn與干燥Cl2反應(yīng)生成SnCl4。常溫常壓下SnCl4為無(wú)色液體，SnCl4空間構(gòu)型為 正四面體正四面體，其固體的晶體類型為 分子晶體分子晶體。
（2）NH3、PH3、AsH3的沸點(diǎn)由高到低的順序?yàn)?NH3、AsH3、PH3NH3、AsH3、PH3，試寫(xiě)出一種與它們互為等電子體的陽(yáng)離子的化學(xué)式 H3O+H3O+。
（3）As原子的價(jià)層電子排布式為 4s24p34s24p3，Sn與As兩元素中第一電離能較大的是 AsAs。
（4）以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。四方晶系 CdSnAs2的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞棱邊夾角均為90°，晶胞中部分原子的分?jǐn)?shù)坐標(biāo)如表所示。
| 坐標(biāo) 原子 |
x | y | z |
| Cd | 0 | 0 | 0 |
| Sn | 0 | 0 | 0.5 |
| As | 0.25 | 0.25 | 0.125 |
4
×
112
+
4
×
119
+
8
×
75
N
A
×
2
a
3
×
1
0
-
30
4
×
112
+
4
×
119
+
8
×
75
N
A
×
2
a
3
×
1
0
-
30
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用．
【答案】正四面體；分子晶體；NH3、AsH3、PH3；H3O+；4s24p3；As；
4
×
112
+
4
×
119
+
8
×
75
N
A
×
2
a
3
×
1
0
-
30
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：14引用：1難度：0.6
相似題
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1．生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為個(gè)．（寫(xiě)具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫(xiě)元素名稱），二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1：3的一種常見(jiàn)微粒，推測(cè)這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達(dá)）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長(zhǎng)a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說(shuō)法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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