如圖所示，水平放置的平行板電容器充電后與電源斷開(kāi)，一帶電粒子從A點(diǎn)沿半圓ABC的直徑方向始終以速度v水平射入電場(chǎng)，恰好經(jīng)過(guò)半圓的最低點(diǎn)B，粒子重力不計(jì)。下列分析正確的（　　）

A．若僅將下板水平右移少許，粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的左側(cè)

B．若僅將下板水平右移少許，粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的右側(cè)

C．若僅將下板豎直下移少許，粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的左側(cè)

D．若僅將下板豎直下移少許，粒子軌跡與半圓ABC的交點(diǎn)在B點(diǎn)的右側(cè)

【答案】A

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/11/2 1:30:2組卷：160引用：2難度：0.6

相似題

1．如圖所示為某一點(diǎn)電荷所形成的一簇電場(chǎng)線，a、b、c三條虛線為三個(gè)帶電粒子以相同的速度從O點(diǎn)射入電場(chǎng)的運(yùn)動(dòng)軌跡，其中b虛線是以點(diǎn)電荷為圓心的一段圓弧，AB的長(zhǎng)度等于BC的長(zhǎng)度，且三個(gè)粒子的電荷量大小相等，不計(jì)粒子重力，則下列說(shuō)法正確的是（　　）?

A．b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的質(zhì)量大于c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的質(zhì)量

B．a(chǎn)一定是正粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡，b和c一定是負(fù)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡

C．a(chǎn)、c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的速度越來(lái)越大，b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的速度不變

D．a(chǎn)虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度越來(lái)越小，c虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度越來(lái)越大，b虛線對(duì)應(yīng)的粒子的加速度不變

發(fā)布：2024/10/24 1:0:4組卷：33引用：1難度：0.5

A．粒子的速度v₂小于v₁

B．等勢(shì)面b的電勢(shì)比等勢(shì)面c的電勢(shì)高

C．粒子從A點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到B點(diǎn)所用的時(shí)間為

sinθ

D．勻強(qiáng)電場(chǎng)的電場(chǎng)強(qiáng)度大小

（

）

sinθ

發(fā)布：2024/9/14 16:0:8組卷：95引用：3難度：0.6

A．三個(gè)等勢(shì)面中，a的電勢(shì)最高

B．電子在P點(diǎn)具有的電勢(shì)能比在Q點(diǎn)具有的電勢(shì)能大

C．電子通過(guò)P點(diǎn)時(shí)的動(dòng)能比通過(guò)Q點(diǎn)時(shí)大

D．電子通過(guò)P點(diǎn)時(shí)的加速度比通過(guò)Q點(diǎn)時(shí)小

發(fā)布：2024/11/1 9:30:2組卷：572引用：18難度：0.9

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