光電材料在能源、軍事等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，分為無機光電材料如ZnS、ZnSe、GaAs、（CuGa）0.5ZnS2等，及有機光電材料（如圖1所示化合物）?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基層Zn原子的價層電子排布圖為 
；Ga、As、Se的第一電離能由大到小的順序為 As＞Se＞GaAs＞Se＞Ga。
（2）圖1所示化合物中含有的化學(xué)鍵類型有 ACAC（填選項字母），N原子的雜化方式為 sp2sp2。
A．共價鍵
B．離子鍵
C．配位鍵
D．氫鍵
（3）在水溶液中，以H2O為電子供體，CO2在（CuGa）0.5ZnS2光催化劑上可還原為CO，部分氧化物的沸點如表所示：
| 氧化物 | H2O | SO2 | CO2 |
| 沸點/℃ | 100 | -10 | -78.5 |
三種氧化物形成的晶體均為分子晶體，H2O分子間能形成氫鍵，SO2為極性分子，CO2為非極性分子，且SO2相對分子質(zhì)量大于CO2
三種氧化物形成的晶體均為分子晶體，H2O分子間能形成氫鍵，SO2為極性分子，CO2為非極性分子，且SO2相對分子質(zhì)量大于CO2
。②SO2的VSEPR模型為
平面三角形
平面三角形
。③H2O和H2S分子中，鍵角更大的是
H2O
H2O
（填化學(xué)式）。（4）ZnS和ZnSe晶體的立方晶胞結(jié)構(gòu)相似，均可看作將金剛石晶胞（如圖2）內(nèi)部的碳原子用Zn代替，晶胞頂角與面心位置的碳原子被S或Se代替。
①ZnS晶體中，一個晶胞含有S原子數(shù)目為
4
4
。②若阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，ZnS晶體的密度為ρ1g?cm-3，ZnSe晶體的密度為ρ2g?cm-3，則ZnS晶體與ZnSe晶體的晶胞參數(shù)之比為
3
97
ρ
2
144
ρ
1
3
97
ρ
2
144
ρ
1
【答案】；As＞Se＞Ga；AC；sp2；三種氧化物形成的晶體均為分子晶體，H2O分子間能形成氫鍵，SO2為極性分子，CO2為非極性分子，且SO2相對分子質(zhì)量大于CO2；平面三角形；H2O；4；
；As＞Se＞Ga；AC；sp2；三種氧化物形成的晶體均為分子晶體，H2O分子間能形成氫鍵，SO2為極性分子，CO2為非極性分子，且SO2相對分子質(zhì)量大于CO2；平面三角形；H2O；4；3
97
ρ
2
144
ρ
1
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：52引用：3難度：0.5
相似題
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1．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
2．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ）
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：175引用：4難度：0.7
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