當前位置： 2023年湖南省常德市桃源一中高考化學模擬試卷（六）> 試題詳情

金剛石硬度大，熔點高，用途非常廣泛。工業(yè)上利用反應CCl₄+4Na

973
K

N
i
-
C
o
C（金剛石）+4NaCl人工合成金剛石。已知：氯化鈉晶胞結構如圖1所示，相鄰的Na⁺與Cl^-的距離為acm。設N_A為阿伏加德羅常數的值，下列有關說法錯誤的是（　　）

A．Ni、Co均屬于元素周期表中的ds區(qū)元素

B．CCl₄、NaCl、金剛石晶體類型不同

C．若NaCl晶體密度為dg?cm^-3，則N_A=

D．12g金剛石（晶體結構如圖2所示）中含有C-C鍵的數目為2N_A

【考點】晶胞的計算．

【答案】A

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/5/27 14:0:0組卷：34引用：2難度：0.6

相似題

1．
過渡金屬元素及其化合物的應用廣泛，是科學家們進行前沿研究的方向之一．
（1）基態(tài)Cu原子核外K、L層電子的電子云有

種不同的伸展方向．
（2）鋅化銅是一種金屬互化物，元素銅的第二電離能

（填“大于”、“小于”或“等于”）鋅的第二電離能，理由是

．
（3）[Co（DMSO）₆]（ClO₄）₂是一種紫色晶體，其中DMSO為二甲基亞砜，化學式為（CH₃）₂SO．（CH₃）₂SO中C-S-O的鍵角

（填“大于”、“小于”或“等于”）CH₃COCH₃中C-C-O的鍵角，理由是

；元素S、Cl、O的電負性由大到小的順序為

．
（4）利用CuSO₄和NaOH制備的Cu（OH）₂懸濁液檢驗醛基時，生成紅色的Cu₂O，其晶胞結構如圖所示．
①該晶胞原子坐標參數A為（0，0，0）；C為
（
1
2
，
1
2
，
1
2
）
．則D原子的坐標參數為

．
②若Cu₂O晶體密度為dg?cm^-3，晶胞參數為apm,則阿伏加德羅常數值N_A為

（用含d和a的式子表示）．
發(fā)布：2024/11/2 6:30:2組卷：16引用：1難度：0.5
解析
2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數為apm,阿伏伽德羅常數為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>
A．該晶體的化學式為CoO
B．基態(tài)Co原子有3個未成對電子
C．與O原子最近且等距離的O原子有12個
D．氧化物的摩爾體積
a
3
×
10
-
36
×
N
A
4
cm³?mol^-1
發(fā)布：2024/11/1 22:30:2組卷：44引用：2難度：0.7
解析
3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>
A．GaAs屬于離子晶體
B．基態(tài)砷原子價電子排布圖為
C．As的配位數為4
D．該晶體密度為
5
.
8
×
1
0
36
N
A
×
a
3
g/cm³
發(fā)布：2024/11/2 4:0:1組卷：70引用：3難度：0.7
解析

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2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數為apm,阿伏伽德羅常數為NA。下列說法錯誤的是（ ?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（ ?。?/h2>

2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數為apm,阿伏伽德羅常數為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>