鎵與ⅤA族元素形成的化合物是重要的半導(dǎo)體材料,應(yīng)用最廣泛的是砷化鎵(GaAs)?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1[Ar]3d104s24p1,基態(tài)As原子核外有 33個未成對電子。
鎵的鹵化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
熔點/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
沸點/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點依次升高,它們均為分子晶體,結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強
GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點依次升高,它們均為分子晶體,結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強
。②GaF3的熔點超過1000℃,可能的原因是
GaF3是離子晶體
GaF3是離子晶體
。(3)砷化鎵熔點為1238℃,立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,晶胞參數(shù)為a=565pm,晶體的密度為
580
N
A
×
(
a
×
1
0
-
8
)
3
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A
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【答案】[Ar]3d104s24p1;3;GaCl3、GaBr3、GaI3的熔、沸點依次升高,它們均為分子晶體,結(jié)構(gòu)相似,相對分子質(zhì)量依次增大,分子間作用力依次增強;GaF3是離子晶體;
580
N
A
×
(
a
×
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)
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:5引用:1難度:0.5
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1.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成),則平均每一個C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.N、P、As都是ⅤA族元素,且原子序數(shù)依次增大,它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
(1)基態(tài)磷原子的價電子排布式為
(2)已知白磷的分子式為P4,其結(jié)構(gòu)如圖1所示??茖W(xué)家目前合成了N4分子,其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是
(3)硝酸的沸點較低,從氫鍵的角度推斷其可能的原因是
(4)NO2-與鈷形成的配離子[Co(NO2)6]3-可用于檢驗K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為
(5)鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁(AlP),磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中,Al原子的配位數(shù)為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:55引用:1難度:0.5
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