砷化鎵素有“半導(dǎo)體貴族”之稱，其合成原理之一為Ga（CH3）3+AsH3 高溫 GaAs+3CH4．請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
（1）基態(tài)Ga原子的最高能層的軌道表達(dá)式為 
。同周期元素的基態(tài)原子中，第一電離能大于As原子的有 22種。
（2）CH4分子中碳原子的雜化形式為 sp3sp3。
（3）與AsH3互為等電子體的離子為 H3O+H3O+（任寫一種）
（4）相同條件下，AsH3比CH4易溶于水的原因?yàn)?CH4屬于非極性分子，AsH3屬于極性分子，水分子是極性分子，相似相溶，AsH3比CH4更易溶于水CH4屬于非極性分子，AsH3屬于極性分子，水分子是極性分子，相似相溶，AsH3比CH4更易溶于水。
（5）AsH3可被超酸質(zhì)子化形成AsH4+，該離子的立體構(gòu)型為 正四面體正四面體；AsH4+中存在的化學(xué)鍵有 BDBD（填選項(xiàng)字母）
A．離子鍵 B．σ鍵 C．π鍵 D．配位鍵
（6）GaAs的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為amm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則晶體的密度表達(dá)式為ρ=4×145NA×（a×10-7）34×145NA×（a×10-7）3g?cm-3（用含a、NA的代數(shù)式表示）；晶胞中As位于Ga形成的正四面體的體心，該正四面體的邊長(zhǎng)為
2a22a2nm。
高溫
4
×
145
N
A
×
（
a
×
1
0
-
7
）
3
4
×
145
N
A
×
（
a
×
1
0
-
7
）
3
2
a
2
2
a
2
【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；化學(xué)鍵；判斷簡(jiǎn)單分子或離子的構(gòu)型；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用；“等電子原理”的應(yīng)用；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷．
【答案】；2；sp3；H3O+；CH4屬于非極性分子，AsH3屬于極性分子，水分子是極性分子，相似相溶，AsH3比CH4更易溶于水；正四面體；BD；；
；2；sp3；H3O+；CH4屬于非極性分子，AsH3屬于極性分子，水分子是極性分子，相似相溶，AsH3比CH4更易溶于水；正四面體；BD；4
×
145
N
A
×
（
a
×
1
0
-
7
）
3
2
a
2
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：7引用：1難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號(hào)表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號(hào)表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長(zhǎng)為a nm、FeS2相對(duì)式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉?wèn)題：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長(zhǎng)為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個(gè)C60晶胞中有個(gè)正四面體空隙和4個(gè)正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個(gè)Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請(qǐng)回答下列相關(guān)問(wèn)題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示?？茖W(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請(qǐng)寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請(qǐng)寫一個(gè)分子和一個(gè)離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個(gè)Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
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