當前位置： 2020-2021學年天津市河北區(qū)高二（下）期末化學試卷> 試題詳情

通過反應，可制備有機中間體異氰酸苯酯。
（1）Ni³⁺基態(tài)核外電子排布式為
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷或[Ar]3d⁷
1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷或[Ar]3d⁷
。
（2）異氰酸苯酯分子中碳原子雜化軌道類型是
sp²、sp
sp²、sp
，1mol 異氰酸苯酯分子中含有σ鍵數(shù)目為
15mol
15mol
。
（3）Na、O、C、N四種元素的第一電離能從大到小的順序為
N＞O＞C＞Na
N＞O＞C＞Na
。
（4）C₂H₅OH 的沸點高于，這是因為
C₂H₅OH能形成分子間氫鍵、不能形成分子間氫鍵
C₂H₅OH能形成分子間氫鍵、不能形成分子間氫鍵
。
（5）Ni 與Al 形成的一種合金可用于鑄造飛機發(fā)動機葉片，其晶胞結構如圖所示，該合金的化學式為
AlNi₃
AlNi₃
。

【考點】晶胞的計算．

【答案】1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁷或[Ar]3d⁷；sp²、sp；15mol；N＞O＞C＞Na；C₂H₅OH能形成分子間氫鍵、菁優(yōu)網(wǎng)

不能形成分子間氫鍵；AlNi₃

【解答】

【點評】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：59引用：4難度：0.5

相似題

1．18-冠-6是冠醚的一種，是有機合成中重要的相轉移催化劑，其結構如圖A所示，回答下列問題：

（1）18-冠-6中碳原子核外電子有

種不同的空間運動狀態(tài)，氧原子的雜化類型為

。
（2）冠醚在水相和油相均有一定的溶解度，其中能表示18-冠-6在油相中結構的圖是

（填“B”或“C”），18-冠-6與水分子間可形成

。
（3）K⁺與18-冠-6的空腔大小相近，恰好能進入到環(huán)內，且與氧原子孤電子對作用形成穩(wěn)定的超分子結構，如圖D。這體現(xiàn)出超分子的

特征。
（4）若18-冠-6的部分氫原子被氟原子取代，與K⁺形成的超分子穩(wěn)定性將

（填“增強”或“減弱”），原因是

。
（5）某種鉀氧化物的晶胞如圖E所示，K⁺的配位數(shù)為

，已知晶胞邊長為anm,則該鉀氧化物的密度為

g?cm^-3。
發(fā)布：2024/11/1 21:30:2組卷：63引用：2難度：0.5
解析
2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>
A．該晶體的化學式為CoO
B．基態(tài)Co原子有3個未成對電子
C．與O原子最近且等距離的O原子有12個
D．氧化物的摩爾體積
a
3
×
10
-
36
×
N
A
4
cm³?mol^-1
發(fā)布：2024/11/1 22:30:2組卷：44引用：2難度：0.7
解析
3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>
A．GaAs屬于離子晶體
B．基態(tài)砷原子價電子排布圖為
C．As的配位數(shù)為4
D．該晶體密度為
5
.
8
×
1
0
36
N
A
×
a
3
g/cm³
發(fā)布：2024/11/2 4:0:1組卷：70引用：3難度：0.7
解析

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2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為NA。下列說法錯誤的是（ ?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（ ?。?/h2>

2．一種鈷的氧化物在納米儲能領域研究廣泛，其晶胞結構如圖所示（白球為Co,黑球為O），已知該晶胞參數(shù)為apm,阿伏伽德羅常數(shù)為N_A。下列說法錯誤的是（　?。?/h2>

3．砷化鎵（GaAs）作為第二代半導體材料的代表，是目前研究最成熟、生產量最大的半導體材料。GaAs晶胞結構如圖所示，晶胞邊長為apm,下列說法正確的是（　?。?/h2>