以下材料在許多領(lǐng)域尤其是高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都是重要原料，廣泛應(yīng)用于航空航天測控、光纖通訊等領(lǐng)域。回答下列問題：
（1）硅常用作半導(dǎo)體材料，基態(tài)硅原子的外圍電子排布式為

1s²2s²2p⁶3s²3p²

1s²2s²2p⁶3s²3p²

。
（2）GaN、GaP、GaAs都是很好的半導(dǎo)體材料，熔點如表所示，分析其變化原因：

三種晶體都是原子晶體，氮鎵鍵、磷鎵鍵和砷鎵鍵的鍵長依次增大，鍵能依次減弱，共價鍵的強弱依次減弱，熔點依次減小

三種晶體都是原子晶體，氮鎵鍵、磷鎵鍵和砷鎵鍵的鍵長依次增大，鍵能依次減弱，共價鍵的強弱依次減弱，熔點依次減小

。

	GaN	GaP	GaAs
熔點	1700℃	1480℃	1238℃

（3）Ti（BH₄）₃是一種儲氫材料，Ti（BH₄）₃由Ti³⁺和BH₄^-構(gòu)成。
①Ti³⁺的未成對電子數(shù)有

1

1

個。
②BH₄^-離子的結(jié)構(gòu)式為

（用“→”標(biāo)出配位鍵）。
（4）Mg-Cu合金可用作儲氫材料，具有大容量、壽命高、耐低溫等特點。其晶胞如圖所示：（相對原子質(zhì)量：Mg：24   Cu：6）。已知Mg-Cu合金的密度為dg?cm^-3，則晶胞參數(shù)a=

3

608

N

A

d

3

608

N

A

d

cm（用含d、N_A的式子表示）。