碳族元素與氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生產(chǎn)、生活中應(yīng)用廣泛?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)Ge原子價(jià)電子排布式為 4s24p24s24p2。
（2）C、N、O、Si第一電離能由大到小的順序?yàn)?N＞O＞C＞SiN＞O＞C＞Si；
（3）已知N2O與CO2互為等電子體，則N2O的結(jié)構(gòu)式為 N=N=ON=N=O，N2O是 極性極性（填“極性”或“非極性”）分子。
（4）磷能形成多種含氧酸，其中亞磷酸的結(jié)構(gòu)如為
，則Na2HPO3溶液中各離子濃度由大到小的順序?yàn)?c（Na+）＞c（HPO32-）＞c（OH-）＞c（H2PO3-）＞c（H+）c（Na+）＞c（HPO32-）＞c（OH-）＞c（H2PO3-）＞c（H+）。
（5）C和Si與O原子結(jié)合形成CO2和SiO2時(shí)假設(shè)采用甲、乙兩種構(gòu)型：
部分化學(xué)鍵的鍵能如表所示：
| 化學(xué)鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） | 化學(xué)鍵 | 鍵能/（kJ?mol-1） | |
| C-C | 331 | C-O | 343 | |
| Si-Si | 197 | Si-O | 466 | |
| C=C | 620 | CO | 805 | |
| Si=Si | 272 | Si=O | 640 |
乙
乙
（填“甲”或“乙”），從能量角度解釋Si原子采取該構(gòu)型的原因是 Si原子與O原子形成四個Si-O鍵的總鍵能高于形成兩個Si=O鍵的總鍵能，體系更加穩(wěn)定
Si原子與O原子形成四個Si-O鍵的總鍵能高于形成兩個Si=O鍵的總鍵能，體系更加穩(wěn)定
。（6）碳化硅（SiC）是人工合成的無機(jī)非金屬材料，其晶體結(jié)構(gòu)類似于金剛石，結(jié)構(gòu)如圖丙所示：
①該晶體中碳原子的雜化軌道類型為
sp3
sp3
雜化，一個硅原子周圍與其最近的硅原子的數(shù)目為 12
12
。②在立方體體對角線的一維空間上碳、硅原子的分布規(guī)律（原子的比例大小和相對位置）正確的是
a
a
。
③如果SiC晶體中硅原子與最近碳原子間距離為dpm,則SiC晶體的密度為
160
（
4
3
3
d
×
10
-
10
）
3
160
（
4
3
3
d
×
10
-
10
）
3
【答案】4s24p2；N＞O＞C＞Si；N=N=O；極性；c（Na+）＞c（HPO32-）＞c（OH-）＞c（H2PO3-）＞c（H+）；乙；Si原子與O原子形成四個Si-O鍵的總鍵能高于形成兩個Si=O鍵的總鍵能，體系更加穩(wěn)定；sp3；12；a；
160
（
4
3
3
d
×
10
-
10
）
3
【解答】
【點(diǎn)評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：16引用：2難度：0.5
相似題
-
1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學(xué)符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當(dāng)堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．N、P、As都是ⅤA族元素，且原子序數(shù)依次增大，它們的單質(zhì)和化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用。請回答下列相關(guān)問題。
（1）基態(tài)磷原子的價(jià)電子排布式為。
（2）已知白磷的分子式為P4，其結(jié)構(gòu)如圖1所示。科學(xué)家目前合成了N4分子，其分子結(jié)構(gòu)與白磷類似。則N原子的雜化軌道類型是，N-N-N鍵的鍵角為。
（3）硝酸的沸點(diǎn)較低，從氫鍵的角度推斷其可能的原因是；請寫出兩種與NO3-互為等電子體的微?；瘜W(xué)式（請寫一個分子和一個離子）。
（4）NO2-與鈷形成的配離子[Co（NO2）6]3-可用于檢驗(yàn)K+的存在。NO2-離子的VSEPR模型名稱為，K3[Co（NO2）6]是黃色沉淀，該物質(zhì)中四種元素的電負(fù)性由大到小的順序是。
（5）鋁和白磷在一定條件下可以制備磷化鋁（AlP），磷化鋁晶胞的結(jié)構(gòu)如圖2所示。磷化鋁中，Al原子的配位數(shù)為，若最近兩個Al原子之間的距離為acm,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為g?cm-3（用含有以上字母的計(jì)算式表示）。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：55引用：1難度：0.5
把好題分享給你的好友吧~~