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《科學》最近報道,我國科學家開發(fā)了鈣鈦礦(鈦酸鈣)活性層Cs2PbI2Cl2。回答下列問題:
(1)基態(tài)氯原子核外順時針、逆時針旋轉的電子數(shù)之比為
9:8或8:9
9:8或8:9
。
(2)熔點:CsCl
CsI(填“>”“<”或“=”),判斷依據(jù)是
CsCl、CsI都是離子化合物,Cl-半徑小于I-,氯化銫中離子鍵較強
CsCl、CsI都是離子化合物,Cl-半徑小于I-,氯化銫中離子鍵較強
。
(3)鹵素對物質性質有明顯影響。
①常溫下,ClCH2COOH、ICH2COOH和CH3COOH電離常數(shù)由大到小的順序為
ClCH2COOH>ICH2COOH>CH3COOH
ClCH2COOH>ICH2COOH>CH3COOH
。
②吡啶(菁優(yōu)網(wǎng))具有堿性和芳香性。研究發(fā)現(xiàn),吡啶中N原子的電子云密度越大,堿性越強。N原子的雜化類型是
sp2
sp2
。在下列物質中,堿性最強的是
d
d
(填序號,下同),最弱的是
c
c
。
a.菁優(yōu)網(wǎng)b.菁優(yōu)網(wǎng)c.菁優(yōu)網(wǎng)d.菁優(yōu)網(wǎng)
(4)鈦酸鈣晶體的晶胞結構如圖所示,晶胞中的原子可用x、y、z組成的三數(shù)組來表示它在晶胞中的位置,稱為原子坐標。已知A的原子坐標為(0,0,0),Ca的原子坐標為
1
2
,
1
2
1
2
,則B的原子坐標為
(0,
1
2
,0)
(0,
1
2
,0)
。
菁優(yōu)網(wǎng)
設該晶體的密度為dg?cm-3,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。Ca2+和Ti4+之間的距離為
3
2
×
3
136
d
N
A
×1010
3
2
×
3
136
d
N
A
×1010
pm(用含d、NA的代數(shù)式表示)。

【考點】晶胞的計算
【答案】9:8或8:9;>;CsCl、CsI都是離子化合物,Cl-半徑小于I-,氯化銫中離子鍵較強;ClCH2COOH>ICH2COOH>CH3COOH;sp2;d;c;(0,
1
2
,0);
3
2
×
3
136
d
N
A
×1010
【解答】
【點評】
聲明:本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復制發(fā)布。
發(fā)布:2024/11/7 10:30:1組卷:51引用:1難度:0.5
相似題
  • 1.完成下列問題:
    (1)GaAs的熔點為1238℃,可作半導體材料,而GaCl3的熔點為77.9℃。預測GaCl3的晶體類型可能為
     
    。
    (2)GaAs晶胞結構如圖所示,則晶胞中每個Ga原子周圍有
     
    個緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個Ga原子的核間距離為
     
    cm(列出計算式)。
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    (2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分數(shù)小于Zn-O鍵,原因是
     
    。
    (3)CH3Mn(CO)5與I2反應可用于制備CH3I,反應前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應的化學方程式為
     
    。
    (4)將含有未成對電子的物質置于外磁場中,會使磁場強度增大,稱其為順磁性物質。下列物質中,屬于順磁性物質的是
     
    (填標號)。
    A.[Cu(NH32]Cl
    B.[Zn(NH34]SO4
    C.[Cu(NH34]SO4
    D.Na2[Zn(OH)4]

    發(fā)布:2024/11/7 1:0:2組卷:21引用:1難度:0.6
  • 2.鍺石是自然界中含有鍺元素的一類礦石的統(tǒng)稱,鍺石含有人體所需的硒、鋅、鎳、鈷、錳等30多種對人體有益的微量元素?;卮鹣铝袉栴}:
    (1)基態(tài)Ge原子價層電子排布式為
     
    。
    (2)鍺與碳同族,性質和結構有一定的相似性,鍺元素能形成無機化合物(如鍺酸鈉:Na2GeO3;二鍺酸鈉:Na2Ge2O5等),也能形成類似于烷烴的鍺烷(GenH2n+2)。
    ①Na2GeO3中鍺原子的雜化方式是
     

    ②Na2Ge2O5中σ鍵與π鍵的數(shù)目之比為
     
    。
    ③至今沒有發(fā)現(xiàn)n大于5的鍺烷,根據(jù)下表提供的數(shù)據(jù)分析其中的原因是
     
    。
    化學鍵 C-C C-H Ge-Ge Ge-H
    鍵能/kJ?mol-1 346 411 188 288
    (3)利用離子液體[EMIM][AlCl4]可電沉積還原金屬Ge,其熔點只有7℃,其中EMIM+結構如圖所示。分子中的大Π鍵可用符號
    Π
    n
    m
    表示,其中m代表參與形成大Π鍵原子數(shù),n代表參與形成的大Π鍵電子數(shù),則EMIM+離子中的大π鍵應表示為
     

    菁優(yōu)網(wǎng)
    (4)硒化鋅(ZnSe)是一種重要的半導體材料,其晶胞結構如圖甲所示,該晶胞中硒原子的配位數(shù)是
     
    ;已知晶胞參數(shù)為apm,乙圖為甲圖的俯視圖,若原子坐標A為(0,0,0),B為
    1
    2
    ,
    0
    ,
    1
    2
    ,則D原子坐標為
     
    ;若該晶體密度為ρg?cm-3,則阿伏加德羅常數(shù)NA
     
    (用ρ、a的字母表示,列出表達式即可)。
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    發(fā)布:2024/11/7 10:0:2組卷:16引用:2難度:0.5
  • 菁優(yōu)網(wǎng)3.X、Y、Z、W、Q是周期表中前4周期元素,且原子序數(shù)依次增大。X、Z的基態(tài)原子2p軌道中均有2個未成對電子,W的最外層電子數(shù)是次外層的一半,Q最外層有1個電子,內層電子全部充滿。Q2+能與NH3形成[Q(NH34]2+,[Q(NH34]2+中2個NH3被2個Cl-取代可得兩種不同的結構。Q2Z種晶胞如下圖所示。下列說法正確的是( ?。?/h2>

    發(fā)布:2024/11/6 20:0:1組卷:15引用:2難度:0.7
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