砷化鎵屬于第三代半導體，其晶胞結構如右圖所示，回答下列問題：
（1）下列說法中正確的是 ACEACE
A．電負性：As＞Ga
B．第一電離能：As＜Ga
C．砷和鎵都屬于p區(qū)元素
D．砷和鎵的晶胞結構與NaCl相同
E．半導體GaP、SiC與砷化鎵為等電子體
（2）砷化鎵是將（CH3）3Ga和AsH3用MOCVD方法制備得到，該反應在700℃進行，反應的化學方程式為 （CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4（CH3）3Ga+AsH3700℃GaAs+3CH4。AsH3的空間構型為 三角錐形三角錐形，（CH3）3Ga中鎵原子的雜化方式為 sp2sp2。
（3）Ga的核外電子排布式為 1s22s22p63s23p63d104s24p11s22s22p63s23p63d104s24p1。
（4）AsH3的沸點比NH3，其原因是 NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵。
（5）砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm,砷化鎵的摩爾質量為bg/mol-1，阿伏加德羅常數值為NA，則砷化鎵晶體密度的表達式 4bNA×（433a）34bNA×（433a）3g/cm-3。
（6）60年代美國化學家鮑林提出了一個經驗規(guī)則：設含氧酸的化學式為HnROm，其中（m-n）為非羥基氧原子數，鮑林認為含氧酸的強弱與非羥基氧原子數（m-n）的關系見下表．
700
℃
700
℃
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
| m-n | 0 | 1 | 2 | 3 |
| 含氧酸強度 | 弱酸 | 中強 | 強 | 很強 |
| 實例 | HClO | H3PO4 | HNO3 | HClO4 |
①按此規(guī)則判斷H3AsO4、H2CrO4、HMnO4酸性由弱到強的順序為
H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4
H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4
．②H3PO3和H3AsO3的形式一樣，但酸性強弱相差很大．已知H3PO3為中強酸，H3AsO3為弱酸，試推斷H3PO3和H3AsO3的分子結構
、
、③按此規(guī)則判斷碳酸應屬于
中強
中強
酸，與通常認為的碳酸的強度是否一致？不一致
不一致
.其可能的原因是 溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3
溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3
．【答案】ACE；（CH3）3Ga+AsH3GaAs+3CH4；三角錐形；sp2；1s22s22p63s23p63d104s24p1；NH3分子間能形成氫鍵，而As電負性小，半徑大，分子間不能形成氫鍵；；H3AsO4＜H2CrO4＜HMnO4；、；中強；不一致；溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3
700
℃
4
b
N
A
×
（
4
3
3
a
）
3
、；中強；不一致；溶于水的那部分CO2并不能完全轉化為H2CO3【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：13引用：1難度：0.5
相似題
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1．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14難度：0.5 -
2．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4