在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿直線A0A1進入速度選擇器，然后垂直于A1A4C4C1平面進入偏轉系統(tǒng)后注入處在水平面內的晶圓（硅片）。速度選擇器和偏轉系統(tǒng)中的勻強磁場的磁感應強度大小均為B，方向均垂直紙面向外，速度選擇器和偏轉系統(tǒng)中的勻強電場場強大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。偏轉系統(tǒng)中電場、磁場分布在一個邊長為l正方體區(qū)域內，其底面與晶圓所在水平面平行，間距也為l。當偏轉系統(tǒng)不加電場時，離子恰好豎直注入到晶圓上。整個系統(tǒng)置于真空中，偏轉系統(tǒng)底面中心O位于晶圓中心O1正上方，離子的電荷量為q,不計離子重力。求：
（1）離子通過速度選擇器的速度大小v和離子質量；
（2）偏轉系統(tǒng)磁感應強度調整為1.5B時，不加電場帶電離子在偏轉系統(tǒng)中的運動時間；
（3）偏轉系統(tǒng)磁感應強度調整為1.5B后，同時給偏轉系統(tǒng)加上電場，離子從偏轉系統(tǒng)底面飛出，注入到晶圓所在水平面的位置的坐標。
【答案】見試題解答內容
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：41引用：2難度：0.4
相似題
-
1．如題圖所示，在直角坐標系的第一象限中有一半徑為R的扇形POQ無場區(qū)域，第一象限剩余區(qū)域（含PQ圓弧邊界）及第四象限均存在垂直于紙面的勻強磁場B。大量質量為m,帶電量為q的正粒子從圓弧PQ上各點沿y軸正方向以相同速度v（大小未知）射入磁場，且所有粒子軌跡均交于Q點并被粒子收集盒（圖中未畫）吸收。不計粒子重力，則（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 13:0:2組卷：27引用：2難度：0.4 -
2．如圖所示，一粒子發(fā)射源P位于足夠大絕緣板AB的上方處，能夠在紙面內向各個方向發(fā)射速率為v、電荷量為q、質量為m的帶正電的粒子?？臻g存在垂直紙面向里的勻強磁場，不考慮粒子間的相互作用和粒子重力，已知粒子做圓周運動的半徑大小恰好為d,則（ ?。?/h2>d2發(fā)布：2024/12/20 0:30:1組卷：365引用：6難度：0.2 -
3．如圖所示，在直角坐標系xOy的第1、4象限內存在方向垂直于紙面向外的勻強磁場Ⅰ和Ⅱ，兩磁場以OP直線為界，OP直線與+x軸夾角為30°，其磁感應強度分別為B和2B．一質量為m、電荷量為q的粒子從y軸上的N點沿平行于+x軸的方向射直入磁場Ⅰ；一段時間后，該粒子在OP邊界上某點以垂直于OP的方向射入磁場Ⅱ，最后粒子射出磁場。則粒子在磁場中運動的時間為（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/24 0:0:3組卷：282引用：1難度：0.6
把好題分享給你的好友吧~~