在芯片制造過(guò)程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿直線A₀A₁進(jìn)入速度選擇器，然后垂直于A₁A₄C₄C₁平面進(jìn)入偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外，速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場(chǎng)場(chǎng)強(qiáng)大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場(chǎng)、磁場(chǎng)分布在一個(gè)邊長(zhǎng)為l正方體區(qū)域內(nèi)，其底面與晶圓所在水平面平行，間距也為l。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場(chǎng)時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面中心O位于晶圓中心O₁正上方，離子的電荷量為q,不計(jì)離子重力。求：
（1）離子通過(guò)速度選擇器的速度大小v和離子質(zhì)量；
（2）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度調(diào)整為1.5B時(shí)，不加電場(chǎng)帶電離子在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間；
（3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度調(diào)整為1.5B后，同時(shí)給偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)加上電場(chǎng)，離子從偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面飛出，注入到晶圓所在水平面的位置的坐標(biāo)。

【答案】見(jiàn)試題解答內(nèi)容

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：37引用：2難度：0.4

相似題

1．如圖所示，在x軸上方存在方向垂直坐標(biāo)平面向里、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，在x軸下方存在方向垂直坐標(biāo)平面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為
B
2
的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。一帶負(fù)電的粒子（不計(jì)重力）從原點(diǎn)O以與x軸正方向成30°角的速度v射入磁場(chǎng)，其在x軸上方做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R。則（　?。?/h2>

A．粒子經(jīng)偏轉(zhuǎn)過(guò)程一定能回到原點(diǎn)O

B．粒子完成一次周期性運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為

C．粒子射入磁場(chǎng)后，第二次經(jīng)過(guò)x軸時(shí)與O點(diǎn)的距離為3R

D．粒子在x軸上方和下方的磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌跡半徑之比為1：3

發(fā)布：2024/10/28 20:30:2組卷：283引用：1難度：0.4

A．只要粒子的速度大小合適，粒子就可能通過(guò)坐標(biāo)原點(diǎn)

B．粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所經(jīng)歷的時(shí)間可能為

πm

C．粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所經(jīng)歷的時(shí)間可能為

πm

D．粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)所經(jīng)歷的時(shí)間可能為

πm

發(fā)布：2024/11/2 5:0:1組卷：179引用：4難度：0.4

3．如圖所示的虛線框?yàn)橐婚L(zhǎng)方形區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)有一垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，一束電子以不同的速率從O點(diǎn)垂直于磁場(chǎng)方向、沿圖中方向射入磁場(chǎng)后，分別從a、b、c三點(diǎn)射出磁場(chǎng)，比較它們?cè)诖艌?chǎng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t_a、t_b、t_c，其大小關(guān)系是（　　）
A．t_a＜t_b＜t_c B．t_a=t_b=t_c C．t_a=t_b＞t_c D．t_a＜t_b=t_c
發(fā)布：2024/10/30 13:30:1組卷：179引用：3難度：0.6
解析

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