2022-2023學(xué)年重慶市南開中學(xué)高二（上）期末物理試卷

一、單項(xiàng)選擇題：本題共10小題，每小題3分，共30分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的。

• 1．下列有關(guān)安培力和洛倫茲力的說法正確的是（　?。?/h2>

  A．判斷安培力的方向用左手定則，判斷洛倫茲力的方向用右手定則

  B．安培力與洛倫茲力的本質(zhì)相同，所以安培力和洛倫茲力都不做功

  C．一小段通電導(dǎo)體在磁場中某位置受到的安培力為零，但該位置的磁感應(yīng)強(qiáng)度不一定為零

  D．通電導(dǎo)線放在磁場中時(shí)，安培力、磁感應(yīng)強(qiáng)度和電流方向一定兩兩垂直
  組卷：152引用：1難度：0.8

  解析

• 2．下列關(guān)于電磁感應(yīng)的說法中正確的是（　　）

  A．只要閉合導(dǎo)體與磁場發(fā)生相對運(yùn)動(dòng)，閉合導(dǎo)體內(nèi)就一定產(chǎn)生感應(yīng)電流

  B．只要導(dǎo)體在磁場中作用相對運(yùn)動(dòng)，導(dǎo)體兩端就一定會(huì)產(chǎn)生電勢差

  C．感應(yīng)電動(dòng)勢的大小跟穿過回路的磁通量變化成正比

  D．閉合回路中感應(yīng)電動(dòng)勢的大小只與磁通量的變化情況有關(guān)而與回路的導(dǎo)體材料無關(guān)
  組卷：71引用：13難度：0.7

  解析

• 3．初速度為v₀電子，沿平行于通電長直導(dǎo)線的方向射出，直導(dǎo)線中電流方向與電子初始運(yùn)動(dòng)方向如圖，則（　　）

  A．電子將向左偏轉(zhuǎn)，速率不變

  B．電子將向左偏轉(zhuǎn)，速率改變

  C．電子將向右偏轉(zhuǎn)，速率不變

  D．電子將向右偏轉(zhuǎn)，速率改變
  組卷：706引用：24難度：0.9

  解析

• 4．在LC振蕩電路中，電容器放電時(shí)間的長短取決于（　　）

  A．充電電壓的大小	B．電容器帶電荷量的多少
  C．放電電流的大小	D．電容C和電感L的數(shù)值
  組卷：73引用：3難度：0.7

  解析

• 5．如圖所示的電路中，已知定值電阻R₁=R₂=R₃=R₄，理想變壓器原、副線圈的匝數(shù)比為1：4，電源輸出的電功率為P，R₁、R₂、R₃、R₄消耗的電功率分別為P₁、P₂、P₃、P₄。則下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．P1：P2=1：16

  B．P：P1=13：1

  C．P2：P3=1：2

  D．P=P2+P3+P4
  組卷：110引用：1難度：0.5

  解析

• 6．某同學(xué)用一個(gè)微安表頭（量程1mA 內(nèi)阻90Ω）：電阻箱R₁和電阻箱R₂組裝一個(gè)多用電表，有電流10mA和電壓3V兩擋，改裝電路如圖所示，則R₁、R₂應(yīng)調(diào)到多大阻值（　?。?/h2>

  A．R1=100Ω，R2=300Ω	B．R1=10Ω，R2=291Ω
  C．R1=100Ω，R2=291Ω	D．R1=10Ω，R2=300Ω
  組卷：624引用：3難度：0.6

  解析

• 7．如圖所示，在水平勻強(qiáng)電場和垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場中，有一足夠長的豎直固定的絕緣桿MN，小球P套在桿上。已知電場強(qiáng)度為E，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B，小球P的質(zhì)量為m（不計(jì)重力），電荷量為+q,P與桿間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ?，F(xiàn)給小球一個(gè)初速度，使小球沿桿下滑。則小球開始下滑直到穩(wěn)定的過程中（　?。?/h2>

  A．小球的加速度一直減小

  B．小球的動(dòng)能和電勢能的總和保持不變

  C．小球下滑的最終速度大小可能為 E B

  D．小球下滑的最大加速度大小為 μq E m
  組卷：241引用：3難度：0.5

  解析

第Ⅱ卷（非選擇題共65分）

• 21．如圖所示，平行金屬導(dǎo)軌由傾角為θ=37°的傾斜部分和水平兩段平滑連接而成，導(dǎo)軌頂部由電阻為r的導(dǎo)體連接。導(dǎo)軌上有兩處勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度方向垂直于導(dǎo)軌平面向上。在水平導(dǎo)軌無磁場區(qū)靜止放置金屬桿cd。金屬桿ab由靜止開始下滑，離開區(qū)域Ⅰ后在水平導(dǎo)軌與金屬桿cd相撞并粘合在一起。雙桿進(jìn)入磁場區(qū)域Ⅱ后運(yùn)動(dòng)的距離x與速度v的關(guān)系式x=1.28-0.8v（m），最終雙桿停在區(qū)域Ⅱ中。已知金屬桿ab、cd質(zhì)量、電阻均相等。不計(jì)摩擦阻力和導(dǎo)軌電阻及磁場邊界效應(yīng)，g=10m/s²，sin37°=0.60，cos37°=0.80，求：
  （1）若金屬桿ab勻速離開區(qū)域Ⅰ，且已知區(qū)域Ⅰ磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1T，導(dǎo)軌間距為0.5m,金屬桿ab質(zhì)量為0.1kg,則離開區(qū)域Ⅰ時(shí)ab桿上的電流大小及方向；
  （2）金屬桿ab進(jìn)入水平軌道時(shí)的速度大小。
  
  組卷：102引用：1難度：0.4

  解析

• 22．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖所示是離子注入工作原理示意圖，離子經(jīng)加速后沿直線A₀A₁進(jìn)入速度選擇器，然后垂直于A₁A₄C₄C₁平面進(jìn)入偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)后注入處在水平面內(nèi)的晶圓（硅片）。速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B，方向均垂直紙面向外，速度選擇器和偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的勻強(qiáng)電場場強(qiáng)大小均為E，方向分別為豎直向上和垂直紙面向外。偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中電場、磁場分布在一個(gè)邊長為l正方體區(qū)域內(nèi)，其底面與晶圓所在水平面平行，間距也為l。當(dāng)偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)不加電場時(shí)，離子恰好豎直注入到晶圓上。整個(gè)系統(tǒng)置于真空中，偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面中心O位于晶圓中心O₁正上方，離子的電荷量為q,不計(jì)離子重力。求：
  （1）離子通過速度選擇器的速度大小v和離子質(zhì)量；
  （2）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度調(diào)整為1.5B時(shí)，不加電場帶電離子在偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)時(shí)間；
  （3）偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)磁感應(yīng)強(qiáng)度調(diào)整為1.5B后，同時(shí)給偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)加上電場，離子從偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)底面飛出，注入到晶圓所在水平面的位置的坐標(biāo)。
  
  組卷：41引用：2難度：0.4

  解析