我國科學家最新研制成功了一種納米半導體材料可以高效實現(xiàn)光化學轉(zhuǎn)換,該種材料主要成分為硫化鎘和硫化鋅。Cd與Zn位于同一副族,且在Zn的下一周期。
(1)Zn原子的價電子排布式是 3d104s23d104s2。
(2)下列狀態(tài)的硫中,電離最外層一個電子所需能量最大的是 BB(填標號)。
A.[Ne]3s23p4
B.[Ne]3s23p3
C.[Ne]3s13p4
D.[Ne]3s13p5
(3)硫和碲位于同主族,其簡單氫化物H2S和H2Te中,分解溫度較高的是 H2SH2S;鍵角較大的是 H2SH2S,其原因是 二者均采取sp3雜化,S的電負性更強,成鍵電子對之間的斥力更大,鍵角更大二者均采取sp3雜化,S的電負性更強,成鍵電子對之間的斥力更大,鍵角更大。
(4)ZnS熔點為2830℃;CdS熔點為1750℃,ZnS熔點更高的原因是 二者均為離子晶體,離子半徑Cd2+大于Zn2+,故晶格能ZnS>CdS,則熔點ZnS>CdS二者均為離子晶體,離子半徑Cd2+大于Zn2+,故晶格能ZnS>CdS,則熔點ZnS>CdS。
(5)Cd2+與NH3等配體形成配離子。[Cd(NH3)4]2+中2個NH3被2個Cl-替代只得到1種結(jié)構(gòu),則[Cd(NH3)4]2+的立體構(gòu)型是 正四面體形正四面體形。
(6)圖1為立方ZnS晶胞,圖2為晶胞沿z軸的1:1平面投影圖:
①晶胞參數(shù)為 22a22apm(寫計算表達式)。
②若晶胞中S2-、Zn2+相切,則Zn2+和S2-之間的最短距離為 62a62apm(寫計算表達式)。
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【答案】3d104s2;B;H2S;H2S;二者均采取sp3雜化,S的電負性更強,成鍵電子對之間的斥力更大,鍵角更大;二者均為離子晶體,離子半徑Cd2+大于Zn2+,故晶格能ZnS>CdS,則熔點ZnS>CdS;正四面體形;2a;a
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【解答】
【點評】
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發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:26引用:1難度:0.5
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(3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長a=發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5 -
2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
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下列說法正確的是( ?。?/h2>發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8 -
3.有關晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說法中錯誤的是( ?。?br />
發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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