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硅烷SiH4可用于制造高純硅。采用硅化鎂法制備SiH4的化學(xué)方程式:Mg2Si+4NH4Cl+8NH3=SiH4+2MgCl2?6NH3
(1)硅在元素周期表中的位置是
第三周期,第ⅣA族
第三周期,第ⅣA族
,硅原子電子排布式為
1s22s22p63s23p2
1s22s22p63s23p2
。
(2)①SiH4的電子式是
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②SiH4的沸點(diǎn)比CH4
(填“高”或“低”),原因是
二者結(jié)構(gòu)相似,SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量較大,分子間作用力強(qiáng),則SiH4的沸點(diǎn)比CH4的高
二者結(jié)構(gòu)相似,SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量較大,分子間作用力強(qiáng),則SiH4的沸點(diǎn)比CH4的高
。
(3)晶體SiO2屬于
原子
原子
晶體(填晶體類型),一種SiO2晶體的結(jié)構(gòu)中有頂角相連的硅氧四面體形成螺旋上升的長(zhǎng)鏈(如圖1)。其中Si原子的雜化軌道類型是
sp3
sp3
。
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(4)硅化鎂晶體的晶胞示意圖如圖2,則其化學(xué)式為
Mg2Si
Mg2Si
。已知該晶胞邊長(zhǎng)為acm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,摩爾質(zhì)量為M,則該晶體的密度為
4
M
N
A
?
a
3
4
M
N
A
?
a
3
g/cm3。
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【答案】第三周期,第ⅣA族;1s22s22p63s23p2;菁優(yōu)網(wǎng);高;二者結(jié)構(gòu)相似,SiH4的相對(duì)分子質(zhì)量較大,分子間作用力強(qiáng),則SiH4的沸點(diǎn)比CH4的高;原子;sp3;Mg2Si;
4
M
N
A
?
a
3
【解答】
【點(diǎn)評(píng)】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書(shū)面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:12引用:1難度:0.6
相似題
  • 1.生活、實(shí)驗(yàn)室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素,比如:石墨、Na2O、配合物Na2[Fe(CN)5(NO)]等.
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    (1)①Na2[Fe(CN)5(NO)]中中心離子的未成對(duì)電子數(shù)為
     
    個(gè).(寫(xiě)具體數(shù)字)
    ②Na2[Fe(CN)5(NO)]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是
     
    (寫(xiě)元素名稱),二者能形成原子個(gè)數(shù)比為1:3的一種常見(jiàn)微粒,推測(cè)這種微粒的空間構(gòu)型為
     

    (2)石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示.若已知每個(gè)共價(jià)鍵的鍵長(zhǎng)為142pm,可以計(jì)算出每個(gè)正六邊形的面積約為5.24×10-20m2,則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來(lái)彼此緊密連接,其總面積約為
     
    m2(NA=6.02×1023).(保留3位有效數(shù)字,用科學(xué)記數(shù)法表達(dá))
    (3)Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示,已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶胞邊長(zhǎng)a=
     
    cm.

    發(fā)布:2024/12/20 8:0:1組卷:8引用:1難度:0.5
  • 菁優(yōu)網(wǎng)2.一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下:
    步驟1:用Na2S2O3溶液浸泡照相底片,未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag(S2O32]而溶解。
    步驟2:在步驟1所得溶液中加稍過(guò)量Na2S溶液,充分反應(yīng)后過(guò)濾出黑色沉淀。
    步驟3:將黑色沉淀在空氣中灼燒,回收單質(zhì)銀。
    下列說(shuō)法正確的是(  )

    發(fā)布:2024/12/20 1:30:2組卷:79引用:5難度:0.8
  • 3.有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示,下列說(shuō)法中錯(cuò)誤的是(  )
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    發(fā)布:2024/12/20 16:0:2組卷:174引用:4難度:0.7
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