某同學(xué)將一定質(zhì)量的理想氣體封閉在如圖甲所示導(dǎo)熱性能良好的注射器內(nèi)，注射器通過非常細(xì)的導(dǎo)氣管與壓強(qiáng)傳感器相連，將整套裝置置于恒溫水浴設(shè)備中，如圖乙所示，開始時(shí)，恒溫水浴設(shè)備溫度為27℃，活塞位置對(duì)應(yīng)刻度數(shù)為“8”，測得封閉氣體壓強(qiáng)為p₀。使水浴設(shè)備中的水升溫到77℃，此過程中未發(fā)現(xiàn)氣泡，而后將活塞緩慢左推的過程中，發(fā)現(xiàn)導(dǎo)氣管連接處有氣泡產(chǎn)生時(shí)，此后立即進(jìn)行氣密性加固.繼續(xù)緩慢壓縮氣體，當(dāng)活塞位置對(duì)應(yīng)刻度數(shù)為“4”時(shí)停止壓縮，此時(shí)測得封閉氣體的壓強(qiáng)為
4
3
p
0
。則該過程中（　?。?br />

A．泄漏氣體的質(zhì)量為最初氣體質(zhì)量的一半

B．泄漏氣體產(chǎn)生的氣泡在77℃恒溫水中上升的過程中會(huì)吸收熱量

C．在壓縮氣體的過程中，氣體分子的平均動(dòng)能變大

D．泄漏出的氣體的內(nèi)能與注射器內(nèi)存留氣體的內(nèi)能相等

【答案】B

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

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發(fā)布：2024/5/27 14:0:0組卷：124引用：2難度：0.6

相似題

1．真空電阻蒸發(fā)鍍膜是在真空室中利用電阻加熱，將緊貼在電阻絲上的金屬絲（鋁絲）熔融汽化，汽化了的金屬分子沉積于基片上形成均勻膜層。在一塊面積為S的方形基片上形成共有k層鋁分子組成的鍍膜，鋁膜的質(zhì)量為m。已知鋁的摩爾質(zhì)量為M，阿伏加德羅常數(shù)為N_A。
①求基片上每層鋁分子單位面積內(nèi)的分子數(shù)n；
②真空氣泵將真空室中的氣體壓強(qiáng)從p₀=1.0×10⁵Pa減小到p₁=1.0×10^-4Pa,設(shè)抽氣后真空室中氣體溫度與抽氣前相同，求抽氣前后真空室中氣體分子數(shù)之比。
發(fā)布：2024/11/14 8:0:1組卷：4引用：0難度：0.5
解析
2．如圖所示為一定質(zhì)量的氦氣（可視為理想氣體）狀態(tài)變化的V-T圖象。已知該氦氣所含的氦分子總數(shù)為N，氦氣的摩爾質(zhì)量為M，在狀態(tài)A時(shí)的壓強(qiáng)為p₀。已知阿伏加德羅常數(shù)為N_A，下列說法正確的是（　?。?/h2>
A．氦氣分子的質(zhì)量為
M
N
B．B狀態(tài)時(shí)氦氣的壓強(qiáng)為2p₀
C．B→C過程中氦氣向外界放熱
D．C狀態(tài)時(shí)氦氣分子間的平均距離d=
3
V
0
N
A
發(fā)布：2024/11/10 8:0:1組卷：60引用：4難度：0.6
解析

3．下列敘述中正確的是（　?。?/h2>

A．布朗運(yùn)動(dòng)反映了液體分子的無規(guī)則運(yùn)動(dòng)

B．當(dāng)分子力表現(xiàn)為引力時(shí)，分子勢能隨分子間距離的增大而減小

C．對(duì)于一定質(zhì)量的理想氣體，溫度降低時(shí)，壓強(qiáng)可能增大

D．已知水的密度和水的摩爾體積，可以計(jì)算出阿伏加德羅常數(shù)

E．?dāng)U散現(xiàn)象和布朗運(yùn)動(dòng)說明分子在永不停息地做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)

發(fā)布：2024/11/8 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5

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