B、Si和P是組成半導體材料的重要元素?；卮鹣铝袉栴}
（1）基態(tài)B、Si和P中，單電子數(shù)最多的是 PP，電負性最大的是 PP。
（2）PCl3中心原子的雜化類型為 sp3sp3，BCl3與陰離子 CO2-3或NO-3等CO2-3或NO-3等互為等電子體。
（3）SiCl4極易與水反應，其反應機理如圖1所示。
①上述反應機理涉及的分子中屬于非極性分子的是 SiCl4和H4SiO4SiCl4和H4SiO4。（填化學式）
②關于上述反應機理的說法正確的是 BCBC。
A．Si的雜化方式一直沒有發(fā)生變化
B．H2O中O通過孤對電子與Si形成配位鍵
C．只涉及了極性共價鍵的斷裂與形成
（4）兩種含硅化合物的晶胞結構如圖2所示
①這兩種含硅化合物的化學式分別為 SiB6SiB6和 SiPSiP。
②Ⅰ的晶胞參數(shù)為apm,則Ⅰ的密度為 94a3NA×103094a3NA×1030g?cm-3。
③Ⅱ的晶胞參數(shù)為bpm,Si和P的原子半徑分別為r1pm和r2pm,則Ⅱ的空間占有率為 16π（r31+r32）3a3=16π（r31+r32）3b3×100%16π（r31+r32）3a3=16π（r31+r32）3b3×100%。
CO
2
-
3
NO
-
3
CO
2
-
3
NO
-
3
94
a
3
N
A
94
a
3
N
A
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
a
3
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
b
3
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
a
3
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
b
3
【答案】P；P；sp3；或等；SiCl4和H4SiO4；BC；SiB6；SiP；×1030；=×100%
CO
2
-
3
NO
-
3
94
a
3
N
A
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
a
3
16
π
（
r
3
1
+
r
3
2
）
3
b
3
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權屬菁優(yōu)網所有，未經書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：36引用：2難度：0.5
相似題
-
1．生活、實驗室中接觸的很多物質含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構型為．
（2）石墨的結構如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結構如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關晶體的結構如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：176引用：4難度：0.7
把好題分享給你的好友吧~~