新型銅鋅錫硫化合物(CuxZnySnzSn)薄膜太陽能電池近年來已經(jīng)成為可再生能源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。回答下列問題:
(1)Sn的價(jià)電子排布式為 5s25p25s25p2,Zn位于元素周期表的 dsds區(qū)。
(2)Si、P、S第一電離能由大到小的順序是 P>S>SiP>S>Si。其中電負(fù)性最大的元素是 SS。
(3)SO32-和SO42-鍵角較小的是 SO32-SO32-,原因是 前者中心原子含有一個(gè)孤電子對、后者中心原子不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力前者中心原子含有一個(gè)孤電子對、后者中心原子不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力。
(4)向CuSO4溶液中滴加氨水至過量,最終得到藍(lán)色溶液,溶液中1mol[Cu(NH3)4]2+含有 16NA16NA個(gè)σ鍵。再向溶液中加入乙醇,得到深藍(lán)色晶體,該晶體中不存在 DD(填標(biāo)號)。
A.離子鍵
B.共價(jià)鍵
C.配位鍵
D.金屬鍵
E.氫鍵
(5)鋅黃錫礦(K型)是制備薄膜太陽能電池的重要原料,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞參數(shù)α=β=y=90°)。該晶體的化學(xué)式為 ZnCu2SnS4ZnCu2SnS4,密度ρ=4.4×1032a3NA4.4×1032a3NAg?cm-3(用含有NA的代數(shù)式表示)。
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【答案】5s25p2;ds;P>S>Si;S;SO32-;前者中心原子含有一個(gè)孤電子對、后者中心原子不含孤電子對,孤電子對和成鍵電子對之間的排斥力大于成鍵電子對之間的排斥力;16NA;D;ZnCu2SnS4;
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【解答】
【點(diǎn)評】
聲明:本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有,未經(jīng)書面同意,不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布:2024/6/27 10:35:59組卷:42引用:5難度:0.3
相似題
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1.A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素,且原子序數(shù)依次增大,其相關(guān)信息如下:
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù);
②B、D原子的L層中都有兩個(gè)未成對電子;
③E元素原子最外層電子排布式為(n+1)Sn(n+1)Pn-1;
④F原子有四個(gè)能層,K、L、M全充滿,最外層只有一個(gè)電子.
試回答下列問題:
(1)基態(tài)E原子中,電子占據(jù)的最高能層符號為
(2)B、C、D的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
(3)B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性:BA4小于A2D,原因是
(4)以E、F的單質(zhì)為電極,組成如圖1所示的裝置,E極的電極反應(yīng)式為
(5)向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水,首先出現(xiàn)藍(lán)色沉淀,繼續(xù)滴加氨水,藍(lán)色沉淀溶解,得到深藍(lán)色溶液,再向深藍(lán)色透明溶液中加入乙醇,析出深藍(lán)色晶體.藍(lán)色沉淀溶解的離子方程式為
(6)F的晶胞結(jié)構(gòu)(面心立方)如圖2所示:已知兩個(gè)最近的F的距離為acm,F的密度為發(fā)布:2025/1/18 8:0:1組卷:14引用:2難度:0.5 -
2.鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學(xué)研究方面應(yīng)用非常廣泛。
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)層電子的電子排布圖為
(2)(NH4)2Fe(SO4)2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序?yàn)?!--BA-->
③SO42-中S原子的雜化方式為
(3)K3[Fe(CN)6]晶體中中心原子的配位數(shù)為
(4)FeS2晶體的晶胞如圖(c)所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,其晶體密度的計(jì)算表達(dá)式為發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:7引用:1難度:0.7 -
3.碳及其化合物有著重要用途?;卮鹣铝袉栴}:
(1)基態(tài)碳原子的價(jià)層電子排布圖為
(2)在CH2=CHCN中,碳原子的雜化方式有
(3)甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式,VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型,比較三者鍵角的大小
(4)C60室溫下為紫紅色固體,不溶于水,能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是
(5)C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖,C60分子處于頂點(diǎn)和面心。已知:C60晶胞棱長為14.20? (1?=10-8cm),則C60的晶體密度為
C60體中存在正四面體空隙(例如1、3、6、7四點(diǎn)構(gòu)成)和正八面體空隙(例如3、6、7、8、9、12六點(diǎn)構(gòu)成),則平均每一個(gè)C60晶胞中有發(fā)布:2025/1/5 8:0:1組卷:53引用:2難度:0.4
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