硼族元素和氮族元素在新型材料的研制中有著重要應用。請回答下列問題：
（1）Ga的價電子排布式為4s24p14s24p1，該基態(tài)原子占據最高能級的電子云輪廓圖形狀為啞鈴型啞鈴型。
（2）化合物Na2[B4O5（OH）4]?8H2O的結構如圖所示，它的陰離子可形成鏈狀結構，則該晶體中不存在的作用力是AA（填字母）。
A.金屬鍵
B.共價鍵
C.離子鍵
D.氫鍵
E.范德華力
（3）8-羥基喹啉鋁常用于發(fā)光材料及電子傳輸材料，可由含鋁還原劑與
合成。所含元素中N的雜化方式為sp2雜化sp2雜化，其組成元素（氫元素除外）的第一電離能由大到小排序為N＞O＞C＞AlN＞O＞C＞Al。
（4）NF3和NH3是氮元素的常見化合物，二者相比較，鍵角更大的是NH3NH3，原因是F的電負性強于H的，對成鍵電子對吸引能力更強，成鍵電子對離中心原子更遠，成鍵電子對之間排斥力更小F的電負性強于H的，對成鍵電子對吸引能力更強，成鍵電子對離中心原子更遠，成鍵電子對之間排斥力更小。
（5）六方氮化硼在高溫高壓下，可以轉化為立方氮化硼，其結構、硬度與金剛石相似，晶胞如圖所示，晶胞邊長為0.3615nm,立方氮化硼的密度是4×25NA（3.615×10-8）34×25NA（3.615×10-8）3g?cm-3。（只列算式，NA為阿伏加德羅常數的值）
（6）LiFeAs是一種新型材料，其立方晶胞結構如圖所示。請在z軸方向投影圖中畫出鐵原子位置，用“●”表示
。
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N
A
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615
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3
【考點】晶胞的計算．
【答案】4s24p1；啞鈴型；A；sp2雜化；N＞O＞C＞Al；NH3；F的電負性強于H的，對成鍵電子對吸引能力更強，成鍵電子對離中心原子更遠，成鍵電子對之間排斥力更?。?div dealflag="1" class="MathJye" mathtag="math">
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【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：19難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數等于其主族序數；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數用NA表示，F(xiàn)的相對原子質量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數目和π鍵數目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4