當(dāng)前位置： 2021-2022學(xué)年甘肅省蘭州一中高二（下）期中化學(xué)試卷> 試題詳情

錫、鉻、鈷、銅等金屬及其化合物在工業(yè)上有重要用途。
（1）錫合金具有優(yōu)異的抗蝕性能，可以用來(lái)生產(chǎn)制作各種精美合金飾品。
①基態(tài)Sn原子價(jià)層電子排布為
5s²5p²
5s²5p²
。
②Co元素在元素周期表中的位置是
第四周期第Ⅷ族
第四周期第Ⅷ族
。
③Cu元素位于元素周期表的
ds
ds
區(qū)。
（2）制備CrO₂Cl₂的反應(yīng)為K₂Cr₂O₇+3CCl₄=2KCl+2CrO₂Cl₂+3COCl₂↑。
①上述方程式中非金屬元素電負(fù)性由小到大的順序?yàn)?
C＜Cl＜O
C＜Cl＜O
（用元素符號(hào)表示）。
②COCl₂分子中π鍵和σ鍵的個(gè)數(shù)比為
1：3
1：3
，中心原子的雜化方式為
sp²
sp²
，COCl₂屬于分子
極性
極性
（填“極性”或“非極性”）。
（3）Cu-Mn-Al合金為磁性形狀記憶合金材料之一，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：
①合金的化學(xué)式為
Cu₂AlMn
Cu₂AlMn
。
②A原子坐標(biāo)參數(shù)為（0，1，0），則B原子坐標(biāo)參數(shù)為
（
3
4
，
1
4
，
3
4
）
（
3
4
，
1
4
，
3
4
）
。
③已知該合金晶體密度為ρg?cm^-3，則兩個(gè)Al原子間的最近距離為
2
2
3
4
×
（
2
×
64
+
27
+
55
）
ρ
N
A
×10⁷
2
2
3
4
×
（
2
×
64
+
27
+
55
）
ρ
N
A
×10⁷
nm（阿伏加德羅常數(shù)用N_A表示，只列計(jì)算式）。

【考點(diǎn)】晶胞的計(jì)算；元素電離能、電負(fù)性的含義及應(yīng)用；原子核外電子排布．

【答案】5s²5p²；第四周期第Ⅷ族；ds；C＜Cl＜O；1：3；sp²；極性；Cu₂AlMn；（

，

）；

（

）

×10⁷

【解答】

【點(diǎn)評(píng)】

聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書(shū)面同意，不得復(fù)制發(fā)布。

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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：5引用：1難度：0.6

相似題

1．碘及其化合物在生產(chǎn)、生活中有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉?wèn)題：
電負(fù)性：H 2.20；C 2.55；F 3.98；P 2.19；I 2.66
（1）人工合成的¹³¹I是醫(yī)療上常用的放射性同位素，碘在周期表中的位置是

。
（2）碘單質(zhì)在CS₂中的溶解度比在水中的大，解釋原因

。
（3）HI主要用于藥物合成，通常用I₂和P反應(yīng)生成PI₃，PI₃再水解制備HI。PI₃的空間結(jié)構(gòu)是

，PI₃水解生成HI的化學(xué)方程式是

。
（4）CH₃I是一種甲基化試劑，CF₃I可用作制冷劑，CH₃I和CF₃I發(fā)生水解時(shí)的主要反應(yīng)分別是：CH₃I+H₂O→CH₃OH+HI和CF₃I+H₂O→CF₃H+HIO。CF₃I的水解產(chǎn)物是HIO，結(jié)合電負(fù)性解釋原因

。
（5）KIO₃晶體是一種性能良好的光學(xué)材料，其晶胞為立方體，邊長(zhǎng)為anm,晶胞中K、I、O分別處于頂點(diǎn)、體心、面心位置，結(jié)構(gòu)如圖。
①與K原子緊鄰的O原子有

個(gè)。
②KIO₃的摩爾質(zhì)量為214g/mol,阿伏加德羅常數(shù)為N_A。該晶體的密度是

g/cm³（1nm=10^-9m）。
發(fā)布：2024/11/17 0:30:1組卷：93引用：4難度：0.6
解析

2．一種含釩超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖，晶胞參數(shù)為xnm、xnm、ynm,摩爾質(zhì)量為Mrg/mol（Sb原子有兩種位置關(guān)系，分別用Sb1和Sb2代表），下列敘述中錯(cuò)誤的是（　　）

A．該晶體的化學(xué)式為CsV₃Sb₅

B．與Cs原子距離最近的Sb1原子有6個(gè)

C．基態(tài)V²⁺占據(jù)的最高能層的符號(hào)是M

D．該含釩超導(dǎo)材料的晶體密度為

g?cm^-3

發(fā)布：2024/11/17 0:30:1組卷：43引用：1難度：0.5

解析

3．氮族元素的單質(zhì)及其化合物在生活、生產(chǎn)中有廣泛應(yīng)用。回答下列問(wèn)題：
（1）下列電子排布圖能表示基態(tài)N原子的核外電子排布情況的是

。（填標(biāo)號(hào)）
A．
B．
C．
D．
（2）鍵角：NH₃＞PH₃＞AsH₃，從原子結(jié)構(gòu)角度分析原因：

。AsH₃中As原子的雜化類(lèi)型是

，AsH₃的空間構(gòu)型是

。

（3）白磷中毒后，用硫酸銅溶液解毒，其反應(yīng)原理為11P₄+60CuSO₄+96H₂O═20Cu₃P+24H₃PO₄+60H₂SO₄。
①白磷的結(jié)構(gòu)如圖1所示，上述反應(yīng)轉(zhuǎn)移20mol電子時(shí)，破壞P₄中

mol σ鍵。與CuSO₄中陰離子互為等電子體的分子有

。（填一種即可）
②Cu₃P中銅粒子的價(jià)層電子排布式為

。
③在CuSO₄溶液中滴加過(guò)量氨水生成藍(lán)色溶液，主要成分是[Cu（NH₃）₄]SO₄，其中不存在的作用力類(lèi)型有

。（填標(biāo)號(hào)）
A．離子鍵
B．金屬鍵
C．配位鍵
D．極性共價(jià)鍵
（4）聯(lián)氨（N₂H₄）的沸點(diǎn)為113.5℃，聯(lián)磷（P₂H₄）的沸點(diǎn)為55℃，主要原因是

。
（5）磷化硼是一種半導(dǎo)體材料，早在1891年，法國(guó)化學(xué)家亨利?莫瓦桑就合成了磷化硼晶體，其晶胞如圖2所示。磷化硼的化學(xué)式為

。磷化硼的熔點(diǎn)為1100℃，它的晶體類(lèi)型是

。
（6）砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料，用來(lái)制作微波器件等。砷化鎵的晶胞如圖3所示。已知砷化鎵的摩爾質(zhì)
量為Mg?mol^-1，密度為dg?cm^-3，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)的值。圖3中As原子與Ga原子的最短核間距為

pm。
發(fā)布：2024/11/17 8:0:1組卷：49引用：1難度：0.5
解析

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2．一種含釩超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖，晶胞參數(shù)為xnm、xnm、ynm,摩爾質(zhì)量為Mrg/mol（Sb原子有兩種位置關(guān)系，分別用Sb1和Sb2代表），下列敘述中錯(cuò)誤的是（ ）

2．一種含釩超導(dǎo)材料的晶胞結(jié)構(gòu)及晶體結(jié)構(gòu)俯視圖如圖，晶胞參數(shù)為xnm、xnm、ynm,摩爾質(zhì)量為Mrg/mol（Sb原子有兩種位置關(guān)系，分別用Sb1和Sb2代表），下列敘述中錯(cuò)誤的是（　　）