鎵（31Ga）是化學史上第一種先理論預言，后在自然界中被發(fā)現(xiàn)并驗證的元素。鎵的化合物半導體廣泛用于電子與微電子工業(yè)。
（1）基態(tài)Ga原子中，核外電子占據(jù)的最高能層的符號是 NN。
（2）門捷列夫預言的“類硼”（即鈧，21Sc），“類鋁”（即鎵，31Ga），“類硅”（即鍺，32Ge）三種元素中，未成對電子數(shù)最多的是 GeGe（填元素符號）。
（3）氮化鎵（GaN）和砷化鎵（GaAs）都是新型的半導體材料，與晶體硅屬于同一晶體類型。
①Ga、N、As三種元素的電負性由大到小的順序是 N＞As＞GaN＞As＞Ga。
②GaN熔點（1700℃）高于GaAs熔點（1238℃）的原因是 二者均為共價晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高二者均為共價晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高。
③GaAs可由Ga（CH3）3和AsH3在一定條件下制得，該反應的化學方程式是 （CH3）3Ga+AsH 700℃ GaAs+3CH4↑（CH3）3Ga+AsH 700℃ GaAs+3CH4↑，Ga（CH3）3分子中Ga原子的雜化方式是 sp2sp2，AsH3分子的空間構型是 三角錐形三角錐形。
（4）釓鎵石榴石是一種激光介質(zhì)材料，其晶體結構單位簡圖如下。
①釓鎵石榴石的化學式是 Ga2Gd3（GaO4）3Ga2Gd3（GaO4）3。
②已知晶體結構單位的邊長為a nm,晶體的密度為ρ g?cm?3，則阿伏加德羅常數(shù)NA=1013ρa3×10-30mol-11013ρa3×10-30mol-1（用含a、ρ的代數(shù)式表示）。
700
℃
700
℃
1013
ρ
a
3
×
1
0
-
30
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【考點】晶胞的計算；原子軌道雜化方式及雜化類型判斷．
【答案】N；Ge；N＞As＞Ga；二者均為共價晶體，且GaN中N原子半徑小，Ga-N鍵長比Ga-As鍵短，鍵能更大，熔點更高；（CH3）3Ga+AsH GaAs+3CH4↑；sp2；三角錐形；Ga2Gd3（GaO4）3；mol-1
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ρ
a
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0
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【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/6/27 10:35:59組卷：18引用：2難度：0.5
相似題
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結構（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5 -
3．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結構如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4