當(dāng)前位置：
試題詳情
砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料與傳統(tǒng)的硅材料相比，同樣條件下，它能更快地傳導(dǎo)電流。且它不僅可以用來制作發(fā)光二極管、光探測器，還能用來制備半導(dǎo)體激光器，廣泛應(yīng)用于光通信等領(lǐng)域?；卮鹣铝袉栴}：
（1）Ga基態(tài)原子核外電子排布式為 [Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1，第四周期主族元素中，第一電離能介于Ga、As之間的元素是 33（填元素符號）。
（2）砷與鹵素可形成AsX5、AsX3型兩類化合物，其中三鹵化砷的熔點和沸點數(shù)據(jù)如表所示。
| 砷的鹵化物 | AsF3 | AsCl3 | AsBr3 | AsI3 |
| 熔點/℃ | -6 | -18 | 31.1 | 140.9 |
| 沸點/℃ | 57.8 | 130.2 | 221 | 424 |
分子晶體
分子晶體
，其熔點變化規(guī)律及原因是：AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強
AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強
。②已知AsCl5的空間構(gòu)型是三角雙錐，則它是
非極性
非極性
（填“極性”、“非極性”） 分子。（3）在GaH3、NH3、AsH3中，GaH3是平面三角形分子而AsH3是三角錐形分子，判斷的依據(jù)是
GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對
GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對
，三種氫化物中，易與H+形成配位鍵的是 NH3
NH3
。（4）砷化鎵的立方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，晶胞參數(shù)為a nm,砷化鎵晶體的密度為ρg/cm3。則Ga的配位數(shù)是
4
4
，阿伏加德羅常數(shù)NA=5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【考點】晶胞的計算．
【答案】[Ar]3d104s24p1或1s22s22p63s23p63d104s24p1；3；分子晶體；AsF3、AsCl3、AsBr3、AsI3都是分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強；非極性；GaH3中Ga原子不含孤電子對、AsH3中As原子含孤電子對；NH3；4；
5
.
8
×
1
0
23
ρ
a
3
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復(fù)制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：7引用：3難度：0.3
相似題
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1．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學(xué)記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ?。?/h2>發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ?。?br />
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
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