含鎵（Ga）化合物在半導(dǎo)體材料、醫(yī)藥行業(yè)等領(lǐng)域發(fā)揮重要作用?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)鎵原子最外層的電子排布圖為 
或
或。
（2）Ga與Zn的第一電離能大小關(guān)系為：Ga ＜＜Zn（填“＞”“＜”或“=”）。
（3）GaX3的熔沸點如下表所示。
| 鎵的鹵化物 | GaCl3 | GaBr3 | GaI3 |
| 熔點/℃ | 77.75 | 122.3 | 211.5 |
| 沸點/℃ | 201.2 | 279 | 346 |
GaCl3
GaCl3
（填化學式），沸點依次升高的原因是 三者均屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高
三者均屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高
。②GaF3的熔點約1000℃，遠高于GaCl3的熔點，原因是
GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體
GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體
。（4）鎵配合物具有高的反應(yīng)活性和良好的選擇性．在藥物領(lǐng)域得到廣泛的關(guān)注。GaCl3與2-甲基8-羥基喹啉（
）在一定條件下反應(yīng)可以得到一種喹啉類鎵配合物（M），其結(jié)構(gòu)如圖1所示。2-甲基-8-羥基喹啉分子中碳原子的雜化軌道類型為 sp2、sp3
sp2、sp3
；H、C、N的原子半徑由大到小的順序為 C＞N＞H
C＞N＞H
。
（5）作為第二代半導(dǎo)體，砷化鎵單晶因其價格昂貴而素有“半導(dǎo)體貴族”之稱。砷化鎵是由Ga（CH3）3和AsH3在一定條件下制備得到，同時得到另一物質(zhì)，該物質(zhì)分子是
非極性分子
非極性分子
（填“極性分子”或“非極性分子”），AsH3分子的空間形狀為 三角錐形
三角錐形
。（6）GaN是制造LED的重要材料，被譽為“第三代半導(dǎo)體材料”。其晶體結(jié)構(gòu)如圖2所示：
①在GaN晶體中，距離每個Ga原子最近的Ga原子有
4
4
個，N原子的配位數(shù)為 4
4
。②GaN的密度為
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【答案】或；＜；GaCl3；三者均屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高；GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體；sp2、sp3；C＞N＞H；非極性分子；三角錐形；4；4；
；＜；GaCl3；三者均屬于分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力增強，熔沸點依次升高；GaF3屬于離子晶體，GaCl3為分子晶體，離子晶體熔點高于分子晶體；sp2、sp3；C＞N＞H；非極性分子；三角錐形；4；4；336
N
A
×
3
×
a
2
×
c
【解答】
【點評】
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發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：21引用：1難度：0.6
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1．鐵及其化合物在生產(chǎn)生活及科學研究方面應(yīng)用非常廣泛。
（1）基態(tài)Fe原子的價層電子的電子排布圖為；其最外層電子的電子云形狀為。
（2）（NH4）2Fe（SO4）2?6H2O俗稱摩爾鹽
①NH4+電子式為。
②N、O兩元素的第一電離能由大到小的順序為（用元素符號表示）
③SO42-中S原子的雜化方式為，VSEPR模型名稱為。
（3）K3[Fe（CN）6]晶體中中心原子的配位數(shù)為；晶體的配位體為（用化學符號表示）
（4）FeS2晶體的晶胞如圖（c）所示。晶胞邊長為a nm、FeS2相對式量為M，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，其晶體密度的計算表達式為g?cm-3發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：7引用：1難度：0.7 -
2．碳及其化合物有著重要用途?；卮鹣铝袉栴}：
（1）基態(tài)碳原子的價層電子排布圖為。
（2）在CH2=CHCN中，碳原子的雜化方式有、，所含σ鍵數(shù)目和π鍵數(shù)目之比為。
（3）甲烷、水、氨氣中C、O、N原子均采用sp3雜化方式，VSEPR模型均為正四面體構(gòu)型，比較三者鍵角的大小（由大到小，用H一R-H表示），其原因是。
（4）C60室溫下為紫紅色固體，不溶于水，能溶于四氯化碳等非極性溶劑。據(jù)此判斷C60的晶體類型是。
（5）C60晶胞結(jié)構(gòu)如圖，C60分子處于頂點和面心。已知：C60晶胞棱長為14.20? （1?=10-8cm），則C60的晶體密度為g/cm3。
C60體中存在正四面體空隙（例如1、3、6、7四點構(gòu)成）和正八面體空隙（例如3、6、7、8、9、12六點構(gòu)成），則平均每一個C60晶胞中有個正四面體空隙和4個正八面體空隙。當堿金屬元素全部占滿所有空隙后，這類C60摻雜物才具有超導(dǎo)性。若用金屬銫（Cs）填滿所有空隙，距離最近的兩個Cs原子間的距離為?。發(fā)布：2025/1/5 8:0:1組卷：53引用：2難度：0.4 -
3．A、B、C、D、E、F是元素周期表中前四周期元素，且原子序數(shù)依次增大，其相關(guān)信息如下：
①A的周期序數(shù)等于其主族序數(shù)；
②B、D原子的L層中都有兩個未成對電子；
③E元素原子最外層電子排布式為（n+1）Sn（n+1）Pn-1；
④F原子有四個能層，K、L、M全充滿，最外層只有一個電子．
試回答下列問題：
（1）基態(tài)E原子中，電子占據(jù)的最高能層符號為，F(xiàn)的價層電子排布式為．
（2）B、C、D的電負性由大到小的順序為（用元素符號填寫），C與A形成的分子CA3的VSEPR模型為．
（3）B和D分別與A形成的化合物的穩(wěn)定性：BA4小于A2D，原因是．
（4）以E、F的單質(zhì)為電極，組成如圖1所示的裝置，E極的電極反應(yīng)式為．
（5）向盛有F的硫酸鹽FSO4的試管里逐滴加入氨水，首先出現(xiàn)藍色沉淀，繼續(xù)滴加氨水，藍色沉淀溶解，得到深藍色溶液，再向深藍色透明溶液中加入乙醇，析出深藍色晶體．藍色沉淀溶解的離子方程式為．
（6）F的晶胞結(jié)構(gòu)（面心立方）如圖2所示：已知兩個最近的F的距離為acm,F的密度為g/cm3（阿伏加德羅常數(shù)用NA表示，F(xiàn)的相對原子質(zhì)量用M表示）發(fā)布：2025/1/18 8:0:1組卷：14引用：2難度：0.5
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