硅元素是現(xiàn)代信息技術(shù)中最重要的元素之一，回答下列問(wèn)題。
（1）若將基態(tài)硅原子最高能級(jí)的電子排布圖表示為，則它違背了

洪特規(guī)則

洪特規(guī)則

 這一電子排布規(guī)律，X、Y與硅位于同周期，若X、Y的第一電離能（相對(duì)大?。┲虚g只有Si,則X、Y分別是

S、Mg

S、Mg

。
（2）以SiO₂為基本原料制備粗硅的原理為SiO₂+2C

高溫

Si+2CO↑，與CO互為等電子體的分子和離子分別為

N₂和CN^-

N₂和CN^-

，使 SiO₂固體、CO液化需要克服的作用力分別是

共價(jià)鍵

共價(jià)鍵

、

分子間作用力

分子間作用力

；若Si-O鍵的鍵鍵能為akJ?mol^-1，則使1molSiO₂全部變成Si、O原子至少需要提供的能量是

4a

4a

kJ；SiO₂、石墨兩物質(zhì)中，硅、碳原子雜化類(lèi)型分別為

sp³、sp²

sp³、sp²

。
（3）制備高純度硅的過(guò)程中會(huì)有一系列中間產(chǎn)物如SiH₃Cl、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiCl₄等物質(zhì)生成。上述中間產(chǎn)物中屬于正四面體構(gòu)型的是

SiCl₄

SiCl₄

，沸點(diǎn)SHCl₃

＜

＜

SiCl₄（填“＞”或“＜”）。
（4）晶體硅的晶胞如圖，以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置，稱(chēng)作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo)。則圖中原子①的原子坐標(biāo)是

（

1

2

，

1

2

，

0

）

（

1

2

，

1

2

，

0

）

，晶體中硅原子的空間利用率為

8

2

π

3

×100%

8

2

π

3

×100%

（用含π的式子表示）。