完成下列問(wèn)題:
(1)GaAs的熔點(diǎn)為1238℃,可作半導(dǎo)體材料,而GaCl3的熔點(diǎn)為77.9℃。預(yù)測(cè)GaCl3的晶體類(lèi)型可能為
分子晶體
分子晶體
。
(2)GaAs晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,則晶胞中每個(gè)Ga原子周?chē)?4
4
個(gè)緊鄰等距的As原子;該晶體的密度為ρg/cm3,阿伏加德羅常數(shù)為NA,則晶體中最近的兩個(gè)Ga原子的核間距離為 cm(列出計(jì)算式)。
(2)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-O鍵,原因是 電負(fù)性O(shè)大于N,O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng),Zn和O更易形成離子鍵
電負(fù)性O(shè)大于N,O對(duì)電子的吸引能力更強(qiáng),Zn和O更易形成離子鍵
。
(3)CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)可用于制備CH3I,反應(yīng)前后錳的配位數(shù)不變,CH3Mn(CO)5與I2反應(yīng)的化學(xué)方程式為 CH3Mn(CO)5+I2→CH3I+MnI(CO)5
CH3Mn(CO)5+I2→CH3I+MnI(CO)5
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(4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱(chēng)其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順磁性物質(zhì)的是 C
C
(填標(biāo)號(hào))。
A.[Cu(NH3)2]Cl
B.[Zn(NH3)4]SO4
C.[Cu(NH3)4]SO4
D.Na2[Zn(OH)4]