硅、鍺（Ge）及其化合物廣泛應(yīng)用于光電材料領(lǐng)域。回答下列問題：
（1）基態(tài)硅原子最外層的電子排布圖為 
，晶體硅和碳化硅熔點較高的是 SiCSiC（填化學式）；
（2）硅和鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以得到SiX4。
SiX4的熔沸點
| SiF4 | SiCl4 | SiBr4 | SiI4 | |
| 熔點/K | 183.0 | 203.2 | 278.6 | 393.7 |
| 沸點/K | 187.2 | 330.8 | 427.2 | 560.7 |
SiCl4
SiCl4
（填化學式），沸點依次升高的原因是 不含氫鍵的分子結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強
不含氫鍵的分子結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強
，氣態(tài)SiX4分子的空間構(gòu)型是 正四面體形
正四面體形
；②SiCl4與N—甲基咪唑（
）反應(yīng)可以得到M2+，其結(jié)構(gòu)如圖所示：
N—甲基咪唑分子中碳原子的雜化軌道類型為
sp3、sp2
sp3、sp2
，H、C、N的電負性由大到小的順序為 N＞C＞H
N＞C＞H
，1個M2+中含有 54
54
個σ鍵；（3）如圖是Mg、Ge、O三種元素形成的某化合物的晶胞示意圖。
①已知化合物中Ge和O的原子個數(shù)比為1：4，圖中Z表示
O
O
原子（填元素符號），該化合物的化學式為 Mg2GeO4
Mg2GeO4
；②已知該晶胞的晶胞參數(shù)分別為anm、bnm、cnm,α=β=γ=90°，則該晶體的密度ρ=
740
abc
N
A
×
1
0
-
21
740
abc
N
A
×
1
0
-
21
【答案】；SiC；SiCl4；不含氫鍵的分子結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強；正四面體形；sp3、sp2；N＞C＞H；54；O；Mg2GeO4；
；SiC；SiCl4；不含氫鍵的分子結(jié)構(gòu)相似的分子晶體，相對分子質(zhì)量依次增大，分子間作用力逐漸增強；正四面體形；sp3、sp2；N＞C＞H；54；O；Mg2GeO4；740
abc
N
A
×
1
0
-
21
【解答】
【點評】
聲明：本試題解析著作權(quán)屬菁優(yōu)網(wǎng)所有，未經(jīng)書面同意，不得復制發(fā)布。
發(fā)布：2024/4/20 14:35:0組卷：786引用：5難度：0.5
相似題
-
1．生活、實驗室中接觸的很多物質(zhì)含有第二周期的元素，比如：石墨、Na2O、配合物Na2[Fe（CN）5（NO）]等．
（1）①Na2[Fe（CN）5（NO）]中中心離子的未成對電子數(shù)為個．（寫具體數(shù)字）
②Na2[Fe（CN）5（NO）]中原子序數(shù)之和為15的兩種元素中第一電離能較大的是（寫元素名稱），二者能形成原子個數(shù)比為1：3的一種常見微粒，推測這種微粒的空間構(gòu)型為．
（2）石墨的結(jié)構(gòu)如圖1所示．若已知每個共價鍵的鍵長為142pm,可以計算出每個正六邊形的面積約為5.24×10-20m2，則將12g石墨單質(zhì)中的每一層都剝離出來彼此緊密連接，其總面積約為m2（NA=6.02×1023）．（保留3位有效數(shù)字，用科學記數(shù)法表達）
（3）Na2O的晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，已知該晶胞的密度為ρ g?cm-3，阿伏加德羅常數(shù)為NA，則晶胞邊長a=cm.發(fā)布：2024/12/20 8:0:1組卷：8引用：1難度：0.5 -
2．一種從照相底片中回收單質(zhì)銀的方法如下：
步驟1：用Na2S2O3溶液浸泡照相底片，未曝光的AgBr轉(zhuǎn)化成Na3[Ag（S2O3）2]而溶解。
步驟2：在步驟1所得溶液中加稍過量Na2S溶液，充分反應(yīng)后過濾出黑色沉淀。
步驟3：將黑色沉淀在空氣中灼燒，回收單質(zhì)銀。
下列說法正確的是（ ）發(fā)布：2024/12/20 1:30:2組卷：79引用：5難度：0.8 -
3．有關(guān)晶體的結(jié)構(gòu)如圖所示，下列說法中錯誤的是（ ）
發(fā)布：2024/12/20 16:0:2組卷：174引用：4難度：0.7
把好題分享給你的好友吧~~