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2021年天津市高考物理模擬預測試卷(六)

發(fā)布:2024/4/20 14:35:0

一、選擇題(每小題5分,共25分。每小題給出的四個選項中,只有一個選項是正確的)

  • 1.下列說法正確的是( ?。?/h2>

    組卷:138引用:3難度:0.8
  • 2.下列說法正確的是( ?。?/h2>

    組卷:191引用:2難度:0.8
  • 3.如圖所示,理想變壓器輸入電壓保持不變。若將滑動變阻器的滑動觸頭向下移動,下列說法正確的是( ?。?/h2>

    組卷:623引用:12難度:0.8
  • 4.如圖所示,學生練習顛球。某一次足球靜止自由下落80cm,被重新頂起,離開頭部后豎直上升的最大高度仍為80cm。已知足球與頭部的作用時間為0.1s,足球的質量為0.4kg,重力加速度g取10m/s2,不計空氣阻力,足球可視為質點,下列說法正確的是( ?。?/h2>

    組卷:256引用:4難度:0.6

二.非選擇題(共60分)

  • 12.如圖甲所示,兩根間距L=1.0m、電阻不計的足夠長平行金屬導軌ab、cd水平放置,一端與阻值R=2.0Ω的電阻相連。質量m=0.2kg的導體棒ef在恒定外力F作用下由靜止開始運動,已知導體棒與兩根導軌間的最大靜摩擦力和滑動摩擦力均為f=1.0N,導體棒電阻為r=1.0Ω,整個裝置處于垂直于導軌平面向上的勻強磁場B中,導體棒運動過程中加速度a與速度v的關系如圖乙所示(取g=10m/s2)。求:

    (1)當導體棒速度為v時,棒所受安培力F的大小(用題中字母表示);
    (2)恒力F和磁感應強度B分別為多大;
    (3)若ef棒由靜止開始運動距離為s=6.9m時,速度已達v′=3m/s,求此過程中電阻R上產生的焦耳熱QR

    組卷:690引用:4難度:0.6
  • 13.在芯片制造過程中,離子注入是其中一道重要的工序,如圖甲所示是離子注入工作原理的示意圖,靜止于A處的離子,經(jīng)電壓為U的加速電場加速后,沿圖中圓弧虛線通過半徑為R0
    1
    4
    圓弧形靜電分析器(靜電分析器通道內有均勻輻向分布的電場)后,從P點沿豎直方向進入半徑為r的圓形勻強磁場區(qū)域,該圓形磁場區(qū)域的直徑PQ與豎直方向成45°,經(jīng)磁場偏轉,最后打在豎直放置的硅片上,離子的質量為m、電荷量為q,不計離子重力。求:

    (1)離子進入圓形勻強磁場區(qū)域時的速度大小v;
    (2)靜電分析器通道內虛線處電場強度的大小E0;
    (3)若磁場方向垂直紙面向外,離子從磁場邊緣上某點出磁場時,速度方向與直徑PQ垂直,求圓形區(qū)域內勻強磁場的磁感應強度B0的大?。?br />(4)若在該圓形區(qū)域內加如圖乙所示交變的磁場(圖中B1大小未知、方向垂直紙面,且以垂直于紙面向外為正方向),當離子從t=0時進入圓形磁場區(qū)域時,最后從Q點飛出,水平向右垂直打在硅片上,請寫出磁場變化周期T滿足的關系表達式。

    組卷:263引用:9難度:0.6
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