2021-2022學年云南省保山市智源中學高二（下）期中物理試卷

一、選擇題（本題共12小題，每小題4分，共48分。其中1～8題為單項選擇題，9～12題為多項選擇題。全部選對的得4分，選對但不全的得2分，錯選和不選的得0分）

• 1．2020年為了做好疫情防控工作，很多場所都利用紅外線測溫槍對進出人員進行體溫檢測，紅外測溫槍與傳統(tǒng)的熱傳導測溫儀器相比，具有響應時間短、測溫效率高、操作方便、防交叉感染（不用接觸被測物體）的特點。下列說法中正確的是（　　）

  A．紅外測溫槍利用了一切物體都在不停地發(fā)射紅外線，而且發(fā)射紅外線強度與溫度有關，溫度越高發(fā)射紅外線強度就越大

  B．高溫物體輻射紅外線，低溫物體不輻射紅外線

  C．紅外線也屬于電磁波，其波長比紅光短

  D．愛因斯坦最早提出“熱輻射是一份一份的、不連續(xù)的”觀點
  組卷：64引用：4難度：0.7

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• 2．我國首顆量子科學實驗衛(wèi)星“墨子”已于酒泉成功發(fā)射，將在世界上首次實現(xiàn)衛(wèi)星和地面之間的量子通信?！澳印庇苫鸺l(fā)射至高度為500千米的預定圓形軌道。此前6月在西昌衛(wèi)星發(fā)射中心成功發(fā)射了第二十三顆北斗導航衛(wèi)星G7．G7屬地球靜止軌道衛(wèi)星（高度約為36000千米），它將使北斗系統(tǒng)的可靠性進一步提高。關于衛(wèi)星以下說法中正確的是（　　）
  

  A．這兩顆衛(wèi)星的運行速度可能大于7.9km/s

  B．量子科學實驗衛(wèi)星“墨子”的周期比北斗G7小

  C．通過地面控制可以將北斗G7定點于西昌正上方

  D．量子科學實驗衛(wèi)星“墨子”的向心加速度比北斗G7小
  組卷：63引用：5難度：0.5

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• 3．下列說法不正確的是（　?。?/h2>

  A．自發(fā)的熱傳遞過程是向著分子熱運動無序性增大的方向進行的

  B．民間常用“拔火罐”來治療某些疾病，方法是將點燃的紙片放入火罐內，當紙片燃燒完時，迅速將火罐開口端緊壓在皮膚上，火罐就會緊緊地“吸”在皮膚上．其原因是火罐內的氣體體積不變時，溫度降低，壓強減小

  C．空調既能制熱又能制冷，說明在不自發(fā)的條件下，熱傳遞可以逆向

  D．從單一熱源吸收熱量，使之完全變?yōu)楣κ翘岣邫C械效率的常用手段
  組卷：22引用：1難度：0.8

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• 4．在下列現(xiàn)象中，不可以用多普勒效應解釋的有（　?。?/h2>

  A．超聲波被血管中的血流反射后，探測器接收到的超聲波頻率發(fā)生變化

  B．觀察者聽到遠去的列車發(fā)出的汽笛聲，音調會變低

  C．同一聲源發(fā)出的聲波，在空氣和水中傳播的速度不同

  D．天文學上觀察到雙星（相距較近、均繞它們連線上某點做圓周運動的兩顆恒星）光譜隨時間的周期性變化
  組卷：39引用：1難度：0.8

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• 5．如圖所示表示兩列相干水波某時刻的波峰和波谷位置，實線表示波峰，虛線表示波谷，相鄰實線與虛線間的距離為0.2m,波速為1m/s,在圖示范圍內可以認為這兩列波的振幅均為1cm,C點是相鄰實線與虛線間的中點，則（　?。?/h2>

  A．圖示時刻A、B兩點的豎直高度差為2cm

  B．C點正處于振動減弱區(qū)

  C．E點到兩波源的路程差為零

  D．經(jīng)0.2s,F點的位移為零
  組卷：25引用：2難度：0.7

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• 6．如圖所示，一列簡諧橫波沿x軸方向傳播，實線為t=0時刻的波形圖，虛線為t=0.6s時刻的波形圖，P、Q為傳播方向上的兩個質點。已知波的周期T＞0.6s,下列判斷正確的是（　?。?/h2>

  A．波的傳播速度有可能為20m/s

  B．波的傳播周期有可能為1.6s

  C．t=1.2s時，質點P一定位于平衡位置

  D．t=2.4s時，質點Q一定位于平衡位置
  組卷：12引用：1難度：0.7

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三、計算題（本題共4道小題，共38分，解答應寫出必要的文字說明、方程式或重要的演算步驟，只寫出最后答案不得分．有單位的數(shù)值，答案必須寫出單位，需要畫圖的必須畫圖．否則不得分．）

• 17．豎直面內有一傾角θ為30°的光滑長木板與水平地面通過一小段光滑圓弧軌道平滑連接，質量m_B=2kg的小物塊B靠近木板的末端靜止于水平地面上，如圖所示，某時刻，質量m_A=1kg的小物塊A在木板頂端由靜止開始下滑，一段時間后與B發(fā)生碰撞，碰撞沒有能量損失。木板長L=0.9m,小物塊A、B與地面間的動摩擦因數(shù)均為μ=0.5，不計空氣阻力，取重力加速度g=10m/s²。求：
  （1）A與B物塊碰撞后能返回到木板的最大高度；
  （2）兩物塊在水平地面上的最終距離。
  組卷：59引用：3難度：0.5

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• 18．在芯片制造過程中，離子注入是其中一道重要的工序。如圖甲所示是離子注入工作原理示意圖，一質量為m,電量為q的正離子經(jīng)電場由靜止加速后沿水平虛線射入和射出速度選擇器，然后通過磁場區(qū)域、電場區(qū)域偏轉后注入處在水平面內的晶圓（硅片）。速度選擇器和磁場區(qū)域中的勻強磁場的磁感應強度大小均為B，方向均垂直紙面向外；速度選擇器和電場區(qū)域中的勻強電場場強大小均為E，方向分別為豎直向上和水平方向（沿x軸）。電場區(qū)域是一邊長為L的正方形，其底邊與晶圓所在水平面平行，間距也為L（L＜

  m

  E

  q

  B

  2

  ）。當電場區(qū)域不加電場時，離子恰好通過電場區(qū)域上邊界中點豎直注入到晶圓上x軸的O點。整個系統(tǒng)置于真空中，不計離子重力。求：
  
  （1）加速電場的電壓大小U₀；
  （2）若虛線框內存在一圓形磁場，求圓形磁場的最小面積；
  （3）若電場區(qū)域加如圖乙所示的電場時（電場變化的周期為

  2

  LB

  E

  ，沿x軸向右為正），離子從電場區(qū)域飛出后，注入到晶圓所在水平面x軸上的范圍。
  組卷：285引用：3難度：0.1

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