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試卷詳情
2023年廣西玉林市高考物理三模試卷
發(fā)布:2024/4/26 11:36:51
一、選擇題:本題共8小題,每小題6分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,第1~5題只有一項(xiàng)符合題目要求,第6~8題有多項(xiàng)符合題目要求。全部選對(duì)的得6分,選對(duì)但不全的得3分,有選錯(cuò)或不答的得0分。
1.
2021年10月我國(guó)發(fā)射的神舟十三號(hào)飛船實(shí)現(xiàn)了和空間站徑向?qū)拥男峦黄?,如圖甲所示。假定對(duì)接前飛船在橢圓軌道Ⅰ上,如圖乙所示,Ⅱ?yàn)榭臻g站圓軌道,軌道半徑為kR(R為地球半徑),A為兩軌道交點(diǎn),BI為飛船軌道近地點(diǎn)。地球表面重力加速度為g,下列說(shuō)法中正確的是( ?。?br />
A.空間站在圓軌道Ⅱ上的向心加速度大于g
B.飛船和空間站在A處所受的萬(wàn)有引力相同
C.船在A處的機(jī)械能大于B處的機(jī)械能
D.飛船在B處的速度
v
B
>
g
R
k
組卷:117
引用:3
難度:0.5
解析
2.
如圖所示,將一質(zhì)量為m的小球靠近墻面豎直向上拋出,圖甲是小球向上運(yùn)動(dòng)時(shí)的頻閃照片,圖乙是小球下落的頻閃照片。O點(diǎn)是運(yùn)動(dòng)的最高點(diǎn),甲乙兩次閃光頻率相等,重力加速度為g,假設(shè)小球所受的阻力大小不變,則可估算小球受到的阻力大小約為( ?。?/h2>
A.mg
B.
1
2
mg
C.
1
5
mg
D.
1
10
mg
組卷:113
引用:3
難度:0.9
解析
3.
如圖所示,質(zhì)量為m的圓環(huán)A,跨過(guò)定滑輪的細(xì)繩一端系在圓環(huán)A上,另一端系一物塊B。細(xì)繩對(duì)圓環(huán)A的拉力方向水平向左。設(shè)最大靜摩擦力等于滑動(dòng)摩擦力,圓環(huán)A與固定直桿間動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.5,直桿傾角θ=37°,cos37°=0.8,要保證A不向上滑動(dòng),所懸掛的物塊B質(zhì)量不能超過(guò)( ?。?/h2>
A.2m
B.
5
3
m
C.
5
4
m
D.
4
3
m
組卷:318
引用:2
難度:0.6
解析
4.
如圖所示,圖甲用于研究光電效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置,圖乙是氫原子的能級(jí)結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)n=4直接躍遷到n=2時(shí)發(fā)出的光照射圖實(shí)驗(yàn)裝置的陰極時(shí),發(fā)現(xiàn)電流表示數(shù)不為零,慢慢移動(dòng)滑動(dòng)變阻器觸點(diǎn)c,發(fā)現(xiàn)電壓表讀數(shù)等于0.8V時(shí),電流表讀數(shù)恰好為零,電子的電荷量為e,下列說(shuō)法正確的是( ?。?br />
A.n=4躍遷到n=2的光電子最大初動(dòng)能為2.55eV
B.滑動(dòng)變阻器觸點(diǎn)c向b側(cè)緩慢移動(dòng),電流表讀數(shù)逐漸減小為零
C.其他條件不變,一群氫原子處于n=4能級(jí)躍遷發(fā)出的光,總共有3種光可以發(fā)生光電效應(yīng)
D.用不同頻率的光子照射該實(shí)驗(yàn)裝置,記錄電流表恰好讀數(shù)為零的電壓表讀數(shù),根據(jù)以上頻率和電壓可以精確測(cè)量普朗克常數(shù)
組卷:74
引用:2
難度:0.6
解析
5.
2021年中國(guó)全超導(dǎo)托卡馬克核聚變實(shí)驗(yàn)裝置創(chuàng)造了新的紀(jì)錄。為粗略了解等離子體在托卡馬克環(huán)形真空室內(nèi)的運(yùn)動(dòng)狀況,某同學(xué)將一小段真空室內(nèi)的電場(chǎng)和磁場(chǎng)理想化為方向均水平向右的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng)(如圖),電場(chǎng)強(qiáng)度大小為E,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B。若某電荷量為q的正離子在此電場(chǎng)和磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng),其速度平行于磁場(chǎng)方向的分量大小為v
1
,垂直于磁場(chǎng)方向的分量大小為v
2
,不計(jì)離子重力,則( ?。?/h2>
A.電場(chǎng)力的瞬時(shí)功率為qE
v
2
1
+
v
2
2
B.該離子受到的洛倫茲力大小為qv
1
B
C.v
2
與v
1
的比值不斷變大
D.該離子的加速度大小不變
組卷:1384
引用:8
難度:0.5
解析
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[物理——選修3—4]
15.
光刻機(jī)是生產(chǎn)大規(guī)模集成電路(芯片)的核心設(shè)備,“浸沒(méi)式光刻”是一種通過(guò)在光刻膠和投影物鏡之間加入浸沒(méi)液體,從而減小曝光波長(zhǎng)提高分辨率的技術(shù)。如圖所示,若浸沒(méi)液體的折射率為1.40,當(dāng)不加液體時(shí)光刻膠的曝光波長(zhǎng)為193nm;加上液體后,光在液體中的傳播速度為
m/s,波長(zhǎng)變?yōu)?
nm。(光在真空中的傳播速度c=3.0×10
8
m/s,計(jì)算結(jié)果均保留三位有效數(shù)字)
組卷:23
引用:4
難度:0.8
解析
16.
如圖為沿x軸方向傳播的一列簡(jiǎn)諧橫波,t
1
=0.4s時(shí)的波形如圖中的實(shí)線所示,t
2
=0.7s時(shí)的波形如圖中的虛線所示,已知該橫波的傳播周期大于0.6s。
(1)求該波的速度以及傳播方向;
(2)x=2m處的質(zhì)點(diǎn)在0~2s的時(shí)間內(nèi)通過(guò)的路程為3m,求該波的振幅以及x=2m處質(zhì)點(diǎn)的振動(dòng)方程。
組卷:260
引用:3
難度:0.5
解析
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