2014-2015學(xué)年廣西玉林市北流中學(xué)高二（下）周測(cè)化學(xué)試卷（6.13）

一、選擇題（共7小題，每小題3分，滿分21分）

• 1．下列物質(zhì)發(fā)生變化時(shí)，所克服的粒子間相互作用屬于同種類型的是（　?。?/h2>

  A．液溴和苯分別受熱變?yōu)闅怏w

  B．干冰和氯化銨分別受熱變?yōu)闅怏w

  C．二氧化硅和鐵分別受熱熔化

  D．食鹽和葡萄糖分別溶解在水中
  組卷：108引用：18難度：0.9

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• 2．已知CsCl晶體的密度為ρg/cm³，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，相鄰的兩個(gè)Cs⁺的核間距為a cm,如圖所示，則CsCl的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為（　　）

  A． N A ? a 3 ? ρ

  B． N A ? a 3 ? ρ 6

  C． N A ? a 3 ? ρ 4

  D． N A ? a 3 ? ρ 8
  組卷：197引用：32難度：0.7

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• 3．硅酸鹽與二氧化硅一樣，都是以硅氧四面體作為基本結(jié)構(gòu)單元．硅氧四面體可以用投影圖表示成，其中O表示氧原子，中心黑點(diǎn)表示硅原子．硅氧四面體通過(guò)不同方式的連接可以組成各種不同的多聚硅酸根離子．圖示為某無(wú)限長(zhǎng)單鏈的多聚硅酸根離子（見(jiàn)圖），試確定該陰離子中硅原子與氧原子的個(gè)數(shù)之比為（　　）
  

  A．1：2

  B．1：3

  C．1：4

  D．2：5
  組卷：613引用：10難度：0.5

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二、非選擇題：

• 9．元素X的某價(jià)態(tài)離子X(jué)ⁿ⁺中所有電子正好充滿K、L、M三個(gè)電子層，它與N^3-形成的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示。
  
  ①該晶體的陽(yáng)離子與陰離子個(gè)數(shù)比為

   

  。
  ②該晶體中Xⁿ⁺離子中n=

   

  。
  ③X元素的原子序數(shù)是

   

  。
  ④晶體中每個(gè)N^3-被

   

  個(gè)等距離的Xⁿ⁺離子包圍。
  組卷：224引用：7難度：0.5

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• 10．已知X、Y和Z三種元素的原子序數(shù)之和等于48．X的一種1：1型氫化物分子中既有σ鍵又有π鍵。Z是金屬元素，Z的單質(zhì)和化合物有廣泛的用途。已知Z的核電荷數(shù)小于28，且次外層有2個(gè)未成對(duì)電子。工業(yè)上利用ZO₂和碳酸鋇在熔融狀態(tài)下制取化合物M（M可看作一種含氧酸鹽）。M有顯著的“壓電性能”，應(yīng)用于超聲波的發(fā)生裝置。經(jīng)X射線分析，M晶體的最小重復(fù)單位為正方體（如圖），棱長(zhǎng)為4.03×10^-10 m,頂點(diǎn)位置為Z⁴⁺所占，體心位置為Ba²⁺所占，所有棱心位置為O^2-所占。
  （1）Y在周期表中位于

   

  ；Z⁴⁺的核外電子排布式為

   

  。
  （2）X的該種氫化物分子構(gòu)型為

   

  ，X在該氫化物中
  以

   

  方式雜化。X和Y形成的化合物的熔點(diǎn)應(yīng)該

   

  （填“高于”或“低于”）X氫化物的熔點(diǎn)。
  （3）①在M晶體中，若將Z⁴⁺置于立方體的體心，Ba²⁺置于立方體的頂點(diǎn)，則O^2-處于立方體的

   

  ；
  ②在M晶體中，Z⁴⁺的氧配位數(shù)為

   

  ；
  ③已知O^2-半徑為1.40×10^-10 m,則Z⁴⁺半徑為

   

  m。
  組卷：1引用：1難度：0.5

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