2022-2023學(xué)年浙江省寧波市九校高二（下）期末物理試卷

一、選擇題Ⅰ（本題共13小題，每小題3分，共39分．每小題列出的四個(gè)備選項(xiàng)中只有一個(gè)是符合題目要求的，不選、多選、錯(cuò)選均不得分）

• 1．下列物理量屬于矢量的是（　?。?/h2>

  A．磁通量Φ	B．電流I
  C．功W	D．磁感應(yīng)強(qiáng)度B
  組卷：20引用：1難度：0.9

  解析

• 2．下列說法符合事實(shí)的是（　?。?/h2>

  A．顯微鏡下觀察到墨水中的小炭粒在不停地做無規(guī)則運(yùn)動(dòng)，這反映了小炭粒分子運(yùn)動(dòng)的無規(guī)則性

  B．第一個(gè)提出量子概念的科學(xué)家是愛因斯坦

  C．法拉第經(jīng)過長達(dá)十年的實(shí)驗(yàn)探究，發(fā)現(xiàn)了電磁感應(yīng)現(xiàn)象

  D．J?J?湯姆孫發(fā)現(xiàn)了電子并提出了原子的核式結(jié)構(gòu)模型
  組卷：4引用：1難度：0.7

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• 3．圖甲為某項(xiàng)鏈展示臺(tái)，展示臺(tái)可近似看成是與水平方向成θ角的斜面。項(xiàng)鏈由鏈條和掛墜組成，如圖乙所示，其中完全相同的甲、乙項(xiàng)鏈，鏈條穿過掛墜懸掛于斜面上，不計(jì)一切摩擦，則甲（　?。?/h2>

  A．鏈條受到掛墜的作用力是由鏈條的形變產(chǎn)生的

  B．掛墜的重力沿垂直斜面方向的分力就是斜面受到的壓力

  C．甲項(xiàng)鏈鏈條對掛墜的作用力等于乙項(xiàng)鏈鏈條對掛墜的作用力

  D．減小斜面的傾角θ，甲、乙項(xiàng)鏈鏈條受到的拉力都增大
  組卷：51引用：2難度：0.6

  解析

• 4．小明同學(xué)利用廢舊透明膠纏繞廢紙做成一個(gè)紙球，讓紙球從某一高度下落，如圖所示，若紙球下落過程中空氣阻力與速度成正比，并經(jīng)過足夠長時(shí)間落地，則紙球運(yùn)動(dòng)過程中的速度v、重力勢能E_p、動(dòng)能E_k、機(jī)械能E隨下落時(shí)間t或下落高度h的關(guān)系圖像可能正確的是（　　）

  A．

  B．

  C．

  D．
  組卷：38引用：1難度：0.5

  解析

• 5．有一個(gè)趣味實(shí)驗(yàn)“靜電章魚”，實(shí)驗(yàn)過程是將塑料絲的一端扎緊，用紙巾不停摩擦，再用紙巾不斷摩擦PVC塑料管，將摩擦后的塑料絲拋向空中，PVC塑料管在這束塑料絲的下方，上面的塑料絲瞬間分散開，懸浮在空中，宛如一條章魚揮動(dòng)自己的觸角（如圖所示），關(guān)于實(shí)驗(yàn)，以下說法正確的是（　?。?/h2>

  A．紙巾摩擦塑料絲，使塑料絲產(chǎn)生了電荷

  B．實(shí)驗(yàn)越潮濕現(xiàn)象越明顯

  C．PVC管和塑料絲帶的是異種電荷

  D．“章魚”遠(yuǎn)離塑料管的過程中，兩者組成的系統(tǒng)電勢能減小
  組卷：37引用：1難度：0.8

  解析

• 6．讓電子束通過電場加速后，照射到金屬品格（大小約為10^-10m）上，可得到電子的衍射圖樣，如圖所示。下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．電子衍射圖樣說明了電子具有粒子性

  B．加速電壓越大，電子的物質(zhì)波波長越短

  C．增大品格尺寸，更容易發(fā)生衍射

  D．動(dòng)量相等的質(zhì)子和電子，通過相同的晶格，質(zhì)子更容易衍射
  組卷：65引用：1難度：0.7

  解析

• 7．如圖是光電倍增管的工作原理圖，其由陰極、陽極和多個(gè)倍增電極組成，提高了光電管靈敏度。使用時(shí)相鄰兩倍增電極間均加有電壓，以此不斷加速電子。如圖所示，光電陰極K受光照后釋放出光電子，電子以較大的動(dòng)能撞擊到第一個(gè)倍增電極上，從這個(gè)倍增電極上激發(fā)出更多電子，最后陽極A收集到光電網(wǎng)極的電子數(shù)比最初從陰極發(fā)射的電子數(shù)增加很多倍，則（　?。?br />

  A．增大倍增級(jí)間的電壓有利于提高其靈敏度

  B．入射光的頻率越高，陰極K發(fā)射出的光電子的初動(dòng)能一定越大

  C．圖中標(biāo)號(hào)為偶數(shù)的倍增電極的電勢高于奇數(shù)的倍增電極的電勢

  D．保持入射光頻率和各級(jí)間的電壓不變，增大入射光光強(qiáng)不影響陽極收集到的電子數(shù)
  組卷：31引用：1難度：0.6

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三、非選擇題（本題共6小題，共55分）

• 20．如圖所示，水平面上有一光滑矩形金屬軌道，間距為l₁，左側(cè)有一恒流源，電流I=5A。以O(shè)點(diǎn)為坐標(biāo)原點(diǎn)，向右為正方向建立x軸，垂直x軸方向建立y軸，在x=0m至x=0.45m的軌道區(qū)間Ⅰ存在豎直向上的磁場B₁（圖中未畫出），此磁場沿x軸正方向的變化規(guī)律為B₁=kx,沿y軸方向磁感應(yīng)強(qiáng)度不變。磁場右側(cè)M，N兩處用光滑絕緣材料連接，右側(cè)軌道上放置了一個(gè)“”形質(zhì)量為m的金屬框edcf,其中ed,cf邊長度均為l₂。cd邊垂直導(dǎo)軌，長度為l₁，電阻阻值為r=0.1Ω；在金屬框右側(cè)長為l₃，寬為l₁的區(qū)域Ⅱ存在豎直向上的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B₂=0.25T的勻強(qiáng)磁場；軌道最右端接一個(gè)阻值R=0.06Ω的電阻。現(xiàn)質(zhì)量也為m,長度為l₁的金屬棒ab在磁場Ⅰ區(qū)域中運(yùn)動(dòng)時(shí)，受到水平向右的恒力F=0.05N，由靜止從x=0m處開始運(yùn)動(dòng)，ab棒離開磁場Ⅰ區(qū)域時(shí)立刻撤去恒力F。金屬棒ab與“”形金屬框edcf相碰后會(huì)粘在一起形成閉合導(dǎo)體框abcd,閉合導(dǎo)體框abcd滑出磁場Ⅱ區(qū)域后可和右側(cè)的固定彈性墻K發(fā)生彈性碰撞。整個(gè)滑動(dòng)過程ab始終和軌道垂直且接觸良好。已知m=0.01kg,l₁=0.2m,l₂=0.08m,l₃=0.24m,除已給電阻外其他電阻均不計(jì)。若導(dǎo)體棒ab運(yùn)動(dòng)到x=0.45m處時(shí)剛好勻速，求：（提示可以用F-x圖像與x軸所圍的“面積”代表力F做的功）
  
  （1）B₁=kx里的k；
  （2）閉合導(dǎo)體框abcd進(jìn)入磁場區(qū)域Ⅱ時(shí)的速度v₁；
  （3）最終ab棒會(huì)停止在距離磁場區(qū)域Ⅱ右邊緣多遠(yuǎn)處。
  組卷：46引用：1難度：0.2

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• 21．物理氣相沉積鍍膜是芯片制作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一，如圖1是該設(shè)備的平面結(jié)構(gòu)簡圖，以M點(diǎn)位置為原點(diǎn)建立M-xy坐標(biāo)系。初速度不計(jì)的氧離子（比荷

  q

  1

  m

  1

  =

  2

  .

  4

  ×

  1

  0

  6

  C

  /

  kg

  ）經(jīng)電壓

  U

  0

  =

  25

  12

  ×

  1

  0

  3

  V

  的電場加速后，從C點(diǎn)水平向右進(jìn)入豎直向下的聲強(qiáng)為

  E

  =

  5

  3

  ×

  1

  0

  4

  V

  /

  m

  的勻強(qiáng)電場，恰好打到電場、磁場的豎直分界線Ⅰ最下方M點(diǎn)（未進(jìn)入磁場）并被位于該處的金屬靶材全部吸收，CM兩點(diǎn)的水平距離為0.5m。靶材濺射出的部分金屬離子（比荷

  q

  2

  m

  2

  =

  2

  .

  0

  ×

  1

  0

  6

  C

  /

  kg

  ）從M點(diǎn)沿各個(gè)方向進(jìn)入M-xy平面內(nèi)的兩勻強(qiáng)磁場區(qū)域，速度大小均為1.0×10⁴m/s,并沉積在固定基底上，M點(diǎn)到基底的距離為

  2

  4

  m

  ?；着cxy軸方向夾角均為45°，大小相等、方向相同（均垂直紙面向內(nèi)）的兩磁場B=1×10^-2T的分界線Ⅱ過M點(diǎn)且與基底垂直。（兩種離子均帶正電，忽略重力及離子間相互作用力。）求：
  
  （1）CM兩點(diǎn)的高度差；
  （2）在M-xy平面內(nèi)，基底上可被金屬離子打中后鍍膜的區(qū)域長度。
  （3）金屬離子打在基座上所用時(shí)間最短時(shí)粒子的入射方向與分界線Ⅱ的夾角的正弦值。
  （4）兩磁場大小不變、方向相反（均垂直紙面），以M點(diǎn)位置為原點(diǎn)建立M-xyz坐標(biāo)系，如圖2所示，某個(gè)從靶材濺射出的金屬離子（比荷

  q

  2

  m

  2

  =

  2

  .

  0

  ×

  1

  0

  6

  C

  /

  kg

  ），從M點(diǎn)以速度

  17

  16

  ×

  1

  0

  4

  m

  /

  s

  射入M-yz平面，且與z軸正方向的夾角的正切值為0.25，求該金屬離子打到基底時(shí)，在M-xyz中的坐標(biāo)。（基底在z軸方向足夠大）
  組卷：85引用：1難度：0.1

  解析