2022年海南省?？谑懈呖蓟瘜W(xué)診斷試卷（二）

一、選擇題：本題共8小題，每小題2分，共16分。在每小題給出的四個選項中，只有一項是符合題目要求的。

• 1．化學(xué)與社會、生產(chǎn)密切相關(guān)。下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．手機鋰離子電池、車用鉛蓄電池均為二次電池

  B．廚房用管道天然氣的主要成分是丙烷

  C．玻璃、新型陶瓷均為硅酸鹽材料

  D．碳、氮、硫的氧化物過度排放均能助推酸雨的形成
  組卷：24引用：1難度：0.8

  解析

• 2．分類是認(rèn)識和研究物質(zhì)及其變化的一種常用的科學(xué)方法。下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．燒堿和純堿均屬于堿

  B．Na2CO3溶液與淀粉溶液不可以利用丁達爾效應(yīng)區(qū)分

  C．NaHSO4能電離出H+，所以NaHSO4屬于酸

  D．“熬膽礬鐵釜，久之亦化為銅”中的反應(yīng)是氧化還原反應(yīng)
  組卷：52引用：2難度：0.7

  解析

• 3．聚丙烯是一種合成高分子，以丙烯為原料制備聚丙烯的反應(yīng)為nCH₃CH═CH₂

  一定條件

  。
  下列說法錯誤的是（　?。?/h2>

  A．CH3CH═CH2與CH2═CH2互為同系物

  B．丙烯和聚丙烯的含碳量相等

  C．聚丙烯不能使酸性KMnO4溶液褪色

  D．聚丙烯中的所有碳原子一定處于同一平面內(nèi)
  組卷：14引用：1難度：0.7

  解析

• 4．設(shè)N_A是阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法正確的是（　　）

  A．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，22.4LBr2含溴原子數(shù)大于2NA

  B．100g46%酒精與足量鈉反應(yīng)轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為NA

  C．1L0.1mol?L-1HCOOH溶液中含HCOO-數(shù)為0.1NA

  D．常溫常壓下，92gN2O4含有的分子數(shù)為NA
  組卷：31引用：1難度：0.5

  解析

• 5．常溫下，下列各組離子在指定條件下可能大量共存的是（　　）

  A．含有Al3+的溶液中：K+、Na+、HCO3-、Cl-

  B． c （ H + ） c （ O H - ） = 1 0 12 的溶液中：K+、Na+、MnO4-、Cl-

  C．pH=6.5的溶液中：Na+、Mg2+、Cl-、SO42-

  D．水電離出的c（H+）=1.0×10-12mol?L-1的溶液中：Na+、NH4+、S2-、Br-
  組卷：45引用：7難度：0.7

  解析

• 6．我國科學(xué)家最近揭示了葉片中C、N、P的化學(xué)含量以及環(huán)境調(diào)控。下列說法正確的是（　　）

  A．基態(tài)原子的末成對電子數(shù)：P＞N＞C

  B．電負(fù)性：C＞N＞P

  C．鍵角：CH4＞NH3＞PH3

  D．第一電離能：P＞N＞C
  組卷：28引用：2難度：0.7

  解析

三、非選擇題：本題共5小題，共60分。

• 18．某中草藥活性成分H的一種合成路線如圖：
  
  已知：R-C≡CH+H₂O

  H

  g

  S

  O

  4

  稀硫酸

  
  回答下列問題：
  （1）A的化學(xué)名稱是

   

  。A→B的試劑和條件是

   

  。
  （2）有機物C屬于

   

  （填字母）。
  a.酚
  b.醛
  c.醇
  d.醚
  （3）F的結(jié)構(gòu)簡式是

   

  。
  （4）若G→H是在催化劑和加熱條件下發(fā)生的加成反應(yīng)，則該反應(yīng)的化學(xué)方程式為

   

  。
  （5）A的二溴代物有

   

  （填字母）。
  a.9種
  b.10種
  c.11種
  d.12種
  （6）結(jié)合題中信息，設(shè)計以乙二醇為原料制備的合成路線：

   

  （其他試劑任選）。
  組卷：5引用：1難度：0.5

  解析

• 19．工業(yè)上利用鐵酸鎵[Ga₂（Fe₂O₄）₃]、鐵酸鋅（ZnFe₂O₄）為原料可以提取鐵、鋅、鎵，并采用MOCVD（金屬有機物化學(xué)氣相沉淀）技術(shù)制備砷化鎵（GaAs），利用MOCVD技術(shù)制備GaAs的反應(yīng)原理為Ga（CH₃）₃+AsH₃

  高溫

  GaAs+3CH₄。
  回答下列問題：
  （1）基態(tài)鐵原子的價層電子排布式為

   

  。
  （2）在周期表中，銅和鋅相鄰。電離能：I₁（Cu）

   

  I₁（Zn）（填“＞”“＜”或“=”，下同），I₂（Cu）

   

  I₂（Zn）。
  （3）AsH₃、CH₄分子相同的是

   

  （填字母）。
  A．空間構(gòu)型
  B．中心原子的雜化軌道類型
  C．分子極性
  D．化學(xué)鍵類型
  （4）GaN、GaAs是常用的半導(dǎo)體材料，其晶體的熔點分別為1700℃、1238℃，前者熔點高于后者的主要原因是

   

  ；它們的組成元素Ga、N、As的電負(fù)性由大到小的順序是

   

  。
  （5）砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
  ①鎵原子可以看成是填充在砷原子構(gòu)成的空隙中，鎵原子填充這樣的空隙中構(gòu)成正四面體形，這樣的空隙填充率為

   

  。
  ②設(shè)N_A是阿伏加德羅常數(shù)的值，晶體的密度為ρg?cm^-3。砷化鎵晶胞中相鄰兩個面心上砷原子之間的距離為

   

  pm（用含ρ、N_A的計算式表示）。
  組卷：31引用：1難度：0.6

  解析