工業(yè)上利用鐵酸鎵[Ga₂（Fe₂O₄）₃]、鐵酸鋅（ZnFe₂O₄）為原料可以提取鐵、鋅、鎵，并采用MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉淀）技術(shù)制備砷化鎵（GaAs），利用MOCVD技術(shù)制備GaAs的反應(yīng)原理為Ga（CH₃）₃+AsH₃

高溫

GaAs+3CH₄。
回答下列問題：
（1）基態(tài)鐵原子的價(jià)層電子排布式為

3d⁶4s²

3d⁶4s²

。
（2）在周期表中，銅和鋅相鄰。電離能：I₁（Cu）

＜

＜

I₁（Zn）（填“＞”“＜”或“=”，下同），I₂（Cu）

＞

＞

I₂（Zn）。
（3）AsH₃、CH₄分子相同的是

BD

BD

（填字母）。
A．空間構(gòu)型
B．中心原子的雜化軌道類型
C．分子極性
D．化學(xué)鍵類型
（4）GaN、GaAs是常用的半導(dǎo)體材料，其晶體的熔點(diǎn)分別為1700℃、1238℃，前者熔點(diǎn)高于后者的主要原因是

它們都是原子晶體，原子半徑：N＜As,鍵能：Ga-N＞Ga-As

它們都是原子晶體，原子半徑：N＜As,鍵能：Ga-N＞Ga-As

；它們的組成元素Ga、N、As的電負(fù)性由大到小的順序是

N＞As＞Ga

N＞As＞Ga

。
（5）砷化鎵的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。
①鎵原子可以看成是填充在砷原子構(gòu)成的空隙中，鎵原子填充這樣的空隙中構(gòu)成正四面體形，這樣的空隙填充率為

50%

50%

。
②設(shè)N_A是阿伏加德羅常數(shù)的值，晶體的密度為ρg?cm^-3。砷化鎵晶胞中相鄰兩個(gè)面心上砷原子之間的距離為

2

2

×

3

4

×

145

ρ

?

N

A

×

1

0

10

2

2

×

3

4

×

145

ρ

?

N

A

×

1

0

10

pm（用含ρ、N_A的計(jì)算式表示）。