2021年江蘇省南通市高考化學考前試卷（5月份）

一、單項選擇題：共13題，每題3分，共39分。每題只有一個選項最符合題意。

• 1．2021年5月15日，“天問一號”探測器成功軟著陸于火星。這是中國火星探測史上的歷史性事件。新型鋁基碳化硅復合材料被大量應用于火星車的車身。下列關于該復合材料可能的性質(zhì)描述不正確的是（　?。?/h2>

  A．密度小

  B．硬度大

  C．熔點低

  D．抗氧化
  組卷：39引用：3難度：0.9

  解析

• 2．甲硫醇（CH₃SH）是合成蛋氨酸的重要原料。反應CH₃OH+H₂S

  A

  l

  2

  O

  3

  400

  ℃

  CH₃SH+H₂O可用于甲硫醇的制備。下列有關說法正確的是（　　）

  A．Al3+的結(jié)構(gòu)示意圖為

  B．H2S的電子式為

  C．1molCH3SH中含6molσ鍵

  D．CH3OH與CH3SH互為同系物
  組卷：14引用：2難度：0.8

  解析

• 3．氯是海水中重要的元素。下列有關氯及其化合物的性質(zhì)與用途具有對應關系的是（　?。?/h2>

  A．氯氣顯黃綠色，可用于制鹽酸

  B．鹽酸呈強酸性，可用于除水垢

  C．次氯酸具有弱酸性，可用作漂白劑

  D．四氯化碳難溶于水，可用作滅火劑
  組卷：24引用：2難度：0.6

  解析

• 4．鍍鋅鐵皮可用于制備七水合硫酸鋅（ZnSO₄?7H₂O），其流程如圖。
  
  下列有關說法正確的是（　?。?/h2>

  A．鍍鋅鐵皮的鍍層被破壞后鐵的腐蝕比生鐵快

  B．“氧化”發(fā)生反應的離子方程式為2Fe2++2H++H2O2═2Fe3++2H2O

  C．“調(diào)pH”后所得溶液中大量存在的離子有Zn2+、 SO 2 - 4 、Fe3+、H+

  D．從“過濾2”所得濾液中獲取晶體的操作為：蒸發(fā)濾液至有大量晶體出現(xiàn)時停止加熱，利用余熱將液體蒸干
  組卷：62引用：4難度：0.4

  解析

• 5．X、Y、Z、W、R是周期表中的短周期主族元素，原子序數(shù)依次增大。Y原子的最外層有4個電子，且未成對電子數(shù)和W相等，R和X同主族，RX為離子化合物。下列說法正確的是（　?。?/h2>

  A．簡單離子半徑：r（R）＞r（Z）＞r（W）

  B．元素電負性：Z＞W(wǎng)＞Y

  C．Y、Z最高價氧化物對應水化物的酸性：Y＞Z

  D．W與R形成的化合物中可能含有共價鍵
  組卷：27引用：1難度：0.5

  解析

二、非選擇題：共4題，共61分。

• 16．三氯化六氨合鈷（Ⅲ）{[Co（NH₃）₆]Cl₃}是制備其它三價鈷配合物的重要試劑。實驗室以活性炭為催化劑，合成三氯化六氨合鈷（Ⅲ）晶體的流程如圖：
  
  已知：①Co²⁺不易被氧化，Co³⁺具有強氧化性；[Co（NH₃）₆]²⁺具有較強還原性，[Co（NH₃）₆]³⁺性質(zhì)穩(wěn)定。
  ②[Co（NH₃）₆]Cl₃?6H₂O在水中的溶解度隨溫度的升高而增大，加入濃鹽酸有利于晶體析出。
  （1）“混合”時加入的NH₄Cl溶液有利于后續(xù)Co²⁺與NH₃的配合反應，其原理是

   

  。
  （2）在如圖所示實驗裝置的三頸燒瓶中，發(fā)生“配合、氧化”。
  
  ①控制三頸燒瓶中溶液溫度為60℃的原因是

   

  。
  ②“配合”步驟安排在“氧化”步驟之前的目的是

   

  。
  ③向三頸燒瓶中滴加氨水的實驗操作為

   

  。
  加入H₂O₂溶液時發(fā)生反應的離子方程式為

   

  。
  （3）設計由過濾后的濾渣獲取[Co（NH₃）₆]Cl₃?6H₂O的實驗方案：向濾渣中加入80℃左右的熱水，

   

  ，低溫干燥。（實驗中須使用的試劑：濃鹽酸、無水乙醇）
  組卷：33引用：1難度：0.5

  解析

• 17．芯片是國家科技的心臟。在硅及其化合物上進行蝕刻是芯片制造中非常重要的環(huán)節(jié)。三氟化氮（NF₃）、四氟化碳（CF₄）是常見的蝕刻劑。
  （1）高純?nèi)獙Χ趸杈哂袃?yōu)異的蝕刻速率和選擇性。
  ①二氧化硅的晶胞結(jié)構(gòu)如圖-1所示，二氧化硅晶體中硅原子周圍最近的硅原子有

   

  個。
  
  ②工業(yè)上常采用F₂直接氟化尿素[CO（NH₂）₂]的方法生產(chǎn)NF₃，得到的NF₃中常含有少量CF₄，常溫下，三種物質(zhì)在水中的溶解性大小順序為：CF₄＜NF₃＜NH₃，原因是

   

  。
  （2）四氟化碳的一種蝕刻機理是：CF₄在等離子體的條件下產(chǎn)生活性自由基（?F），該自由基易與硅及其化合物中的硅原子結(jié)合生成SiF₄氣體從而達到蝕刻目的。用CF₄（g）進行蝕刻時常與氧氣混合，當混合氣體的流速分別為80mL?min^-1和100mL?min^-1時，蝕刻速率隨混合氣體中O₂和CF₄體積之比[V（O₂）/V（CF₄）]的變化如圖-2所示。
  ①a點蝕刻速率比b點快的原因是

   

  。
  ②蝕刻速率隨V（O₂）/V（CF₄）先升高后降低的原因是

   

  。
  （3）NF₃是一種強溫室氣體，消除大氣中的 NF₃對于環(huán)境保護具有重要意義。國內(nèi)某科研團隊研究了利用氫自由基（?H）的脫氟反應實現(xiàn)NF₃的降解。降解生成?NF₂和HF的兩種反應歷程如圖-3所示。其中直接抽提反應是降解的主要歷程，原因是

   

  。
  
  組卷：33引用：1難度：0.6

  解析