2023-2024學(xué)年重慶一中高二（上）第一次月考物理試卷

一、單項選擇題：本題共8小題，每小題3分，共24分。每小題只有一個選項符合題目要求。

• 1．對研究對象或研究過程建立理想化模型，突出問題的主要方面忽略次要因素從而有效地解決問題，是物理學(xué)研究的常用方法。下列各選項中屬于理想化模型的是（　?。?/h2>

  A．點(diǎn)電荷

  B．元電荷

  C．重心

  D．電場
  組卷：54引用：2難度：0.9

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• 2．如圖所示的高壓輸電線路，在鐵塔的頂端還有兩條導(dǎo)線（圖中箭頭所指），它們與大地相連，這兩條導(dǎo)線的主要功能是（　?。?/h2>

  A．輸送電能

  B．各變電站之間通訊

  C．連接各鐵塔，使鐵塔更穩(wěn)固

  D．預(yù)防雷電擊中下方的輸電線
  組卷：120引用：5難度：0.8

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• 3．如圖所示，虛線a、b、c代表電場中三個等勢面，相鄰等勢面之間的電勢差相等，即U_ab=U_bc，實線為一帶正電的質(zhì)點(diǎn)僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運(yùn)動軌跡，P、Q是這條軌跡上的兩點(diǎn)，據(jù)此可知（　　）

  A．三個等勢面中，c的電勢最高

  B．帶電質(zhì)點(diǎn)在P點(diǎn)具有的電勢能比在Q點(diǎn)具有的電勢能小

  C．帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時的動能比通過Q點(diǎn)時小

  D．帶電質(zhì)點(diǎn)通過P點(diǎn)時的加速度比通過Q點(diǎn)時小
  組卷：206引用：4難度：0.5

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• 4．人體細(xì)胞膜由磷脂雙分子層組成，雙分子層間存在電壓（醫(yī)學(xué)上稱為膜電位）。某小塊均勻的細(xì)胞膜，厚度為d,膜內(nèi)的電場可視為勻強(qiáng)電場，簡化模型如圖所示，若初速度為零的鈉離子（帶正電荷）僅在電場力的作用下，從圖中的B點(diǎn)運(yùn)動到A點(diǎn)，則下列說法正確的是（　?。?br />

  A．此細(xì)胞膜內(nèi)電場的電場強(qiáng)度方向由A點(diǎn)指向B點(diǎn)

  B．運(yùn)動過程中鈉離子的電勢能增大

  C．若膜電位不變，則d越大，鈉離子射出細(xì)胞外的速度越小

  D．若膜電位不變，則d變化，鈉離子射出細(xì)胞外的速度不變
  組卷：45引用：4難度：0.5

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• 5．一列簡諧橫波沿x軸正方向傳播，在t=0時刻的波形圖如圖所示。已知波速為0.4m/s,且波剛傳到c點(diǎn)。下列選項正確的是（　?。?/h2>

  A．波源的振動周期為0.4s

  B．t=0時，質(zhì)點(diǎn)d沿y軸正方向運(yùn)動

  C．t=0時，質(zhì)點(diǎn)a的加速度比質(zhì)點(diǎn)b的加速度大

  D．質(zhì)點(diǎn)a比質(zhì)點(diǎn)b先回到平衡位置
  組卷：73引用：3難度：0.5

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• 6．某靜電場在x軸上各點(diǎn)的電勢φ隨坐標(biāo)x的分布圖象如圖。x軸上A、O、B三點(diǎn)的電勢值分別為φ_A、φ_O、φ_B，電場強(qiáng)度沿x軸方向的分量大小分別為E_Ax、E_Ox、E_Bx，電子在A、O、B三點(diǎn)的電勢能分別為E_PA、E_PO、E_PB．下列判斷正確的是（　?。?/h2>

  A．φO＞φB＞φA	B．EOx＞EBx＞EAx
  C．EPO＜EPB＜EPA	D．EPO-EPA＞EPO-EPB
  組卷：898引用：11難度：0.9

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三、非選擇題：本題共6小題，共60分。

• 17．如圖所示，A、B、C是勻強(qiáng)電場中的三點(diǎn)，也是直角三角形的三個頂點(diǎn)，勻強(qiáng)電場與三角形ABC平面平行。從C點(diǎn)向某一方向以大小為v₀的速度射出一個質(zhì)量為m電荷量為q的帶正電粒子，粒子僅在電場力作用下恰好能先后通過A、B兩點(diǎn)，粒子通過A、B兩點(diǎn)時的速度大小分別為

  1

  2

  v

  0

  ，

  10

  2

  v

  0

  ，已知∠A=90°，∠C=60°，AB邊長為L，粒子重力不計。求：
  （1）C、B兩點(diǎn)及C、A兩點(diǎn)的電勢差；
  （2）勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度。
  組卷：86引用：2難度：0.4

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• 18．如圖所示，xOy平面內(nèi)，x軸下方無電場，x軸上方被某直線邊界分割成兩部分，一部分充滿勻強(qiáng)電場（電場強(qiáng)度與y軸負(fù)方向成α角），另一部分無電場，該邊界與y軸交于M點(diǎn)，與x軸交于N點(diǎn)。只有經(jīng)電場到達(dá)N點(diǎn)、與x軸正方向成α角斜向下運(yùn)動的帶電粒子才能進(jìn)x軸下方區(qū)域。從M點(diǎn)向電場內(nèi)發(fā)射一個比荷為

  q

  m

  的帶電粒子A，其速度大小為v₀、方向與電場方向垂直，僅在電場中運(yùn)動時間T后進(jìn)入第四象限，且通過N點(diǎn)的速度大小為2v₀。忽略邊界效應(yīng)，不計粒子重力。
  （1）求角度α；
  （2）在該邊界上任意位置沿與電場垂直方向直接射入電場內(nèi)的、比荷為

  q

  m

  的帶電粒子，只要速度大小適當(dāng)，就能通過N點(diǎn)進(jìn)入第四象限，求N點(diǎn)橫坐標(biāo)及此邊界方程。
  （3）若在x軸上N點(diǎn)左側(cè)發(fā)射比荷、電性均與A相同的帶電粒子B，其速度大小為8v₀，方向與A粒子在M點(diǎn)發(fā)射時初速度相同，若B粒子恰過N點(diǎn)。求B粒子發(fā)射時的坐標(biāo)及射出到運(yùn)動至N點(diǎn)的時間。
  
  組卷：16引用：2難度：0.5

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