2021年山東省德州一中高考物理模擬預(yù)測試卷
發(fā)布:2024/4/20 14:35:0
一、單項(xiàng)選擇題:本題共8小題,每小題3分,共24分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題目要求。
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1.分析下列物理現(xiàn)象( )
(1)夏天里在一次閃電過后,有時(shí)雷聲轟鳴不絕;
(2)“聞其聲而不見其人”;
(3)學(xué)生圍繞振動(dòng)的音叉轉(zhuǎn)一圈會(huì)聽到忽強(qiáng)忽弱的聲音;
(4)當(dāng)正在鳴笛的火車向著我們急駛而來時(shí),我們聽到汽笛聲的音調(diào)變高.
這些物理現(xiàn)象分別屬于波的( )組卷:375引用:8難度:0.7 -
2.一定質(zhì)量的理想氣體,在溫度T1和T2下的壓強(qiáng)p與體積倒數(shù)
的關(guān)系圖像如圖所示,氣體由狀態(tài)A等壓變化到狀態(tài)B的過程中,下列說法正確的是( ?。?/h2>1V組卷:268引用:9難度:0.6 -
3.如圖所示為光電管的原理圖。已知滑動(dòng)變阻器的滑片在圖示P位置,用黃光照射陰極K時(shí),電流表指針恰好不偏轉(zhuǎn),下列說法正確的是( ?。?/h2>
組卷:176引用:2難度:0.5 -
4.如圖所示,Rt為金屬熱電阻,R1為光敏電阻,R2和R3均為定值電阻,電源電動(dòng)勢為E,內(nèi)阻為r,V為理想電壓表,現(xiàn)發(fā)現(xiàn)電壓表示數(shù)增大,可能的原因是( ?。?/h2>
組卷:173引用:11難度:0.7 -
5.圖1為一列簡諧橫波在t=0時(shí)的波形圖,P是平衡位置在x=1cm處的質(zhì)元,Q是平衡位置在x=4cm處的質(zhì)元.圖2為質(zhì)元Q的振動(dòng)圖象.則( )
組卷:41引用:3難度:0.7 -
6.北京時(shí)間2020年12月22日12時(shí)37分,由廈門大學(xué)、天儀研究院和中國電科38所等單位聯(lián)合策劃研制的“海絲一號(hào)”衛(wèi)星,搭載長征八號(hào)運(yùn)載火箭在文昌衛(wèi)星發(fā)射中心發(fā)射升空,衛(wèi)星進(jìn)入預(yù)定軌道。發(fā)射衛(wèi)星過程如下:先將衛(wèi)星送入橢圓轉(zhuǎn)移軌道Ⅰ,然后再進(jìn)入環(huán)繞圓軌道Ⅱ,如圖所示。衛(wèi)星先沿橢圓軌道Ⅰ運(yùn)行,近地點(diǎn)為Q,遠(yuǎn)地點(diǎn)為P。當(dāng)衛(wèi)星經(jīng)過點(diǎn)P時(shí)點(diǎn)火加速,使衛(wèi)星由橢圓軌道Ⅰ轉(zhuǎn)移到圓軌道Ⅱ上運(yùn)行,在圓軌道Ⅱ上衛(wèi)星運(yùn)行周期約為120min。關(guān)于該衛(wèi)星,下列說法中正確的是( ?。?/h2>
組卷:94引用:1難度:0.6
三、非選擇題:本題共6小題,共60分。
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17.質(zhì)譜儀是以離子源、質(zhì)量分析器和離子檢測器為核心的電子儀器。離子源是使試樣分子在高真空條件下離子化的裝置。電離后的分子因接受了過多的能量會(huì)進(jìn)一步碎裂成較小質(zhì)量的多種碎片離子和中性粒子。它們在加速電場作用下獲取具有相同能量的平均動(dòng)能而進(jìn)入質(zhì)量分析器。質(zhì)量分析器是將同時(shí)進(jìn)入其中的不同質(zhì)量的離子,按質(zhì)荷比
的大小分離的裝置。質(zhì)譜儀的部分原理圖可簡化為如圖甲所示,離子源(在狹縫上方,圖中未畫出)產(chǎn)生的帶電離子經(jīng)狹縫之間的電場加速后,勻速并垂直射入偏轉(zhuǎn)磁場區(qū)域,加速電場的電壓隨時(shí)間變化如圖乙所示。離子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場區(qū)域后,在洛倫茲力的作用下打到照相底片上并被接收,形成一細(xì)條紋。若從離子源產(chǎn)生的離子初速度為零、電荷量為+q(q>0)、質(zhì)量為m,加速電壓為U0時(shí),離子恰好打在P點(diǎn),PN為放置照相底片的離子檢測區(qū)域,M為PO的中點(diǎn)。已知PM=OM=L,MN=mq(不計(jì)離子的重力以及離子在電場內(nèi)加速時(shí)電壓的變化與加速時(shí)間)。求:L2
(1)加速電壓為U0時(shí),離子經(jīng)加速電場加速后的速度v1;
(2)偏轉(zhuǎn)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B;
(3)若要求所有的離子都能打在照相底片上,則離子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)電場的時(shí)間范圍;
(4)若偏轉(zhuǎn)磁場區(qū)域?yàn)閳A形,且與PQ相切于O點(diǎn),如圖丙所示,其他條件不變,當(dāng)加速電壓為U0時(shí),要保證離子進(jìn)入偏轉(zhuǎn)磁場后不能打到PQ邊界上(PQ足夠長),求磁場區(qū)域的半徑R應(yīng)滿足的條件。組卷:183引用:3難度:0.5 -
18.如圖甲所示,m1=5kg的滑塊自光滑圓弧形槽的頂端A點(diǎn)無初速度地滑下,槽的底端與水平傳送帶相切于左端導(dǎo)輪頂端的B點(diǎn),傳送帶沿順時(shí)針方向勻速運(yùn)轉(zhuǎn)。m1下滑前將m2=3kg的滑塊停放在槽的底端。m1下滑后與m2發(fā)生碰撞,碰撞時(shí)間極短,碰后兩滑塊均向右運(yùn)動(dòng),傳感器分別描繪出了兩滑塊碰后在傳送帶上從B點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到C點(diǎn)的v-t圖象,如圖乙、丙所示。兩滑塊均視為質(zhì)點(diǎn),重力加速度g=10m/s2。
(1)求A、B的高度差h;
(2)求滑塊m1與傳送帶間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ和傳送帶的長度LBC;
(3)滑塊m2到達(dá)C點(diǎn)時(shí)速度恰好減到3m/s,求滑塊m2的傳送時(shí)間;
(4)求系統(tǒng)因摩擦產(chǎn)生的熱量。組卷:455引用:7難度:0.5